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著者名ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰.
タイトル液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製
(Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55m using droplet epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A)
会議名第75回応用物理学秋季学術講演会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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