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液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製
(Formation of InAs quantum dots emitting at 1.55m using droplet epitaxy on metamorphic InAlAs/InAs/GaAs(111)A)

ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰.
第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014.

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    作成時刻: 2017-01-08 04:06:18 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:55:20 +0900

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