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大竹 晃浩
Address
305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]

研究内容

Keywords

ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性

出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。

その他の文献
特許
  • 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
  • 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス (2017)
  • 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
  • 特開2015061025号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
  • 特開2015162605号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
  • 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)

所属学会

応用物理学会 日本物理学会

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