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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source. Applied Surface Science. 636 (2023) 157756 10.1016/j.apsusc.2023.157756
- Akihiro Ohtake, Xu Yang. Fabrication of Lattice-Mismatched MoTe2/MoSe2 Heterostructures using Molecular-Beam Epitaxy. Crystal Growth & Design. 23 [7] (2023) 5001-5007 10.1021/acs.cgd.3c00244
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma. Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface. ACS Applied Materials & Interfaces. 15 [24] (2023) 29636-29642 10.1021/acsami.3c05725
口頭発表
- YANG, Xu, LI, Shisheng, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Scalable growth of atomically-thin MoS2 layers in conventional MOCVD system using molybdenum oxychloride as the molybdenum source. ICCGE-20. 2023
- OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
- 間野 高明, 黒田 隆, 大竹 晃浩. 液滴エピタキシー法による量子ドットの作製とその量子光源応用. 第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）. 2022
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス (2017)
- 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
- 特開2015061025号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
- 特開2015162605号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
- 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
所属学会
応用物理学会 日本物理学会