論文

• Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 35 10.1038/s41699-022-00310-y
• Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
• Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe2/MoSe2 Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780

会議録

口頭発表

• OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
• 間野 高明, 黒田 隆, 大竹 晃浩. 液滴エピタキシー法による量子ドットの作製とその量子光源応用. 第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）. 2022
• 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022

その他の文献

• 大竹 晃浩. ZnSe/GaAs(111)A系における結晶多形. 日本結晶成長学会誌. 34 [4] (2008) 30-35

特許

• 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
• 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
• 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
• 特開2015061025号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
• 特開2015162605号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
• 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)