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研究内容
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ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Heteroepitaxy of MoSe2 on Si(111) substrates: Role of surface passivation. Applied Physics Letters. 114 [5] (2019) 053106 10.1063/1.5083974
- Akihiro Ohtake, Shunji Goto, Jun Nakamura. Atomic structure and passivated nature of the Se-treated GaAs(111)B surface. Scientific Reports. 8 [1] (2018) 10.1038/s41598-018-19560-2
- Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma. Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers. ACS Omega. 3 [11] (2018) 15592-15597 10.1021/acsomega.8b02359
会議録
- Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 065701-1-065701-5
- OHTAKE, Akihiro, TSUKAMOTO, Shiro, MARKUS, PRISTOVSEK, KOGUCHI, Nobuyuki. Structure of the Ga-stabilized GaAs(001)-c(8x2) surfaces at high temperatures. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003, 146-150
- OHTAKE, Akihiro, 中村淳, KOGUCHI, Nobuyuki, 名取晃子. Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface. SURFACE SCIENCE. 2004, 58-62
口頭発表
- 大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳. Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構. 第78回応用物理学会秋期学術講演会. 2017
- 大竹 晃浩. 化合物半導体の表面再配列. 真空・表面科学合同講演会(第51回真空に関する連合講演会). 2010
- 大竹 晃浩, 間野 高明, ハ ヌル. GaAs{111}A,B表面上でのGa液滴形成. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
- 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
所属学会
応用物理学会 日本物理学会
第二期開発予定
第二期開発予定