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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 35 10.1038/s41699-022-00310-y
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe2/MoSe2 Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780
口頭発表
- OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
- 間野 高明, 黒田 隆, 大竹 晃浩. 液滴エピタキシー法による量子ドットの作製とその量子光源応用. 第51回結晶成長国内会議(JCCG-51). 2022
- 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
- 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
- 特開2015061025号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
- 特開2015162605号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
- 特開201030968号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
所属学会
応用物理学会 日本物理学会