- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Marco Abbarchi, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Akihiro Ohtake, Kazuaki Sakoda. Polarization Anisotropies in Strain-Free, Asymmetric, and Symmetric Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. Nanomaterials. 11 [2] (2021) 443 10.3390/nano11020443
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe2/MoSe2 Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780
会議録
- Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 065701-1-065701-5
- Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO$_{2}$/InGaAs(001) Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011, 10PD01-1-10PD01-5
- YASUDA Testuji, MIYATA Noriyuki, OHTAKE, Akihiro. Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 7565-7568
口頭発表
- 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大. 第67回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2020
- 上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村芳明. 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価. 応用物理学会関西支部第二回講演会. 2019
特許
- 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
- 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
所属学会
応用物理学会 日本物理学会