HOME > Profile > OHTAKE, Akihiro
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Marco Abbarchi, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Akihiro Ohtake, Kazuaki Sakoda. Polarization Anisotropies in Strain-Free, Asymmetric, and Symmetric Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. Nanomaterials. 11 [2] (2021) 443 10.3390/nano11020443
- Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates. Scientific Reports. 10 [1] (2020) 10.1038/s41598-020-61527-9
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [9] (2020) 5196-5203 10.1021/acs.jpcc.9b11278
Proceedings
- Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 065701-1-065701-5
- Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO$_{2}$/InGaAs(001) Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011, 10PD01-1-10PD01-5
- YASUDA Testuji, MIYATA Noriyuki, OHTAKE, Akihiro. Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 7565-7568
Presentations
- 間野 高明, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 迫田 和彰, 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大. 第67回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2020
- 上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村芳明. 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価. 応用物理学会関西支部第二回講演会. 2019
Patents
- No. 5599089 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- No. 6241939 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
- No. 6153224 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)