HOME > Profile > OHTAKE, Akihiro
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
ナノ材料・ナノバイオサイエンス 薄膜・表面界面物性
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 10.1038/s41699-022-00310-y
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
- Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe<sub>2</sub>/MoSe<sub>2</sub> Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780
Proceedings
- Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 065701-1-065701-5
- Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO$_{2}$/InGaAs(001) Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011, 10PD01-1-10PD01-5
- YASUDA Testuji, MIYATA Noriyuki, OHTAKE, Akihiro. Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 7565-7568
Presentations
- 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大. 第67回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2020
Patents
- No. 5599089 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
- No. 6153224 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
- No. 6241939 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
- No: 2015061025 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
- No: 2015162605 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
- No: 201030968 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)