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大竹 晃浩

大竹 晃浩 (OHTAKE, Akihiro) 0000-0002-3519-4613

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305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]

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論文 TSV

2024
  1. Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yoshiaki Nakamura. Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system. Nature Communications. 15 [1] (2024) 322 10.1038/s41467-023-44165-3 Open Access
  2. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano. Initial stage of InSb heteroepitaxial growth on GaAs (111)A: effect of thin InAs interlayers. Japanese Journal of Applied Physics. 63 [3] (2024) 03SP10 10.35848/1347-4065/ad2032 Open Access
2023
  1. Akihiro Ohtake, Takayuki Suga, Shunji Goto, Daisuke Nakagawa, Jun Nakamura. Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited. Scientific Reports. 13 [1] (2023) 18140 10.1038/s41598-023-45142-y Open Access
  2. Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source. Applied Surface Science. 636 (2023) 157756 10.1016/j.apsusc.2023.157756
  3. Akihiro Ohtake, Xu Yang. Fabrication of Lattice-Mismatched MoTe2/MoSe2 Heterostructures using Molecular-Beam Epitaxy. Crystal Growth & Design. 23 [7] (2023) 5001-5007 10.1021/acs.cgd.3c00244
  4. Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma. Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface. ACS Applied Materials & Interfaces. 15 [24] (2023) 29636-29642 10.1021/acsami.3c05725
2022
  1. Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara. Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy. npj 2D Materials and Applications. 6 [1] (2022) 35 10.1038/s41699-022-00310-y Open Access
2021
  1. Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
  2. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Two-Dimensional WSe2/MoSe2 Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 125 [20] (2021) 11257-11261 10.1021/acs.jpcc.1c02780
  3. Marco Abbarchi, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Akihiro Ohtake, Kazuaki Sakoda. Polarization Anisotropies in Strain-Free, Asymmetric, and Symmetric Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. Nanomaterials. 11 [2] (2021) 443 10.3390/nano11020443 Open Access
2020
  1. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma. Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates. Scientific Reports. 10 [1] (2020) 4606 10.1038/s41598-020-61527-9 Open Access
  2. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs Heteroepitaxy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [9] (2020) 5196-5203 10.1021/acs.jpcc.9b11278
2019
  1. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Heteroepitaxy of MoSe2 on Si(111) substrates: Role of surface passivation. Applied Physics Letters. 114 [5] (2019) 053106 10.1063/1.5083974
2018
  1. Akihiro Ohtake, Shunji Goto, Jun Nakamura. Atomic structure and passivated nature of the Se-treated GaAs(111)B surface. Scientific Reports. 8 [1] (2018) 10.1038/s41598-018-19560-2 Open Access
  2. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma. Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers. ACS Omega. 3 [11] (2018) 15592-15597 10.1021/acsomega.8b02359 Open Access
2017
  1. Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma. Evolution of Surface and Interface Structures in Molecular-Beam Epitaxy of MoSe2 on GaAs(111)A and (111)B. Crystal Growth & Design. 17 [1] (2017) 363-367 10.1021/acs.cgd.6b01605
2016
  1. Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer. Crystal Growth & Design. 16 [9] (2016) 5412-5417 10.1021/acs.cgd.6b00899
  2. Akira Akaishi, Kenta Funatsuki, Akihiro Ohtake, Jun Nakamura. First-principles study of locally disordered structures of Mn-induced GaAs(001)-(2 × 2) surface. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S1] (2016) 08NB21 10.7567/jjap.55.08nb21
  3. Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, Kazuya Okukita, Kenta Funatsuki, Jun Nakamura. Mn-Induced Surface Reconstructions on GaAs(001). The Journal of Physical Chemistry C. 120 [11] (2016) 6050-6062 10.1021/acs.jpcc.5b12309
2015
  1. Neul Ha, Takaaki Mano, Ying-Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Juanita Bocquel, Paul M. Koenraad, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Takashi Kuroda. Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion. Physical Review B. 92 [7] (2015) 075306 10.1103/physrevb.92.075306
  2. Bongseok Choi, Masanobu Iwanaga, Hideki T. Miyazaki, Yoshimasa Sugimoto, Akihiro Ohtake, Kazuaki Sakoda. Overcoming metal-induced fluorescence quenching on plasmo-photonic metasurfaces coated by a self-assembled monolayer. Chemical Communications. 51 [57] (2015) 11470-11473 10.1039/c5cc04426j
  3. Neul Ha, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH07 10.7567/jjap.54.04dh07
  4. Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takaaki Mano. Extremely High- and Low-Density of Ga Droplets on GaAs{111}A,B: Surface-Polarity Dependence. Crystal Growth & Design. 15 [1] (2015) 485-488 10.1021/cg501545n
2014
  1. Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, Tetsuji Yasuda. Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces. Applied Physics Letters. 104 [23] (2014) 232104 10.1063/1.4882643
  2. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura. Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions. Crystal Growth & Design. 14 [6] (2014) 3110-3115 10.1021/cg500355f
  3. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Noriyuki Miyata, Takahiro Mori, Tetsuji Yasuda. Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors. Applied Physics Letters. 104 [3] (2014) 032101 10.1063/1.4862542
2013
  1. Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura. Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions. Physical Review B. 87 [16] (2013) 165301 10.1103/physrevb.87.165301
2012
  1. Akihiro Ohtake, Toru Akiyama Tomonori Ito. As-rich (2×2) surface reconstruction on GaAs(111)A. Surface Science. 606 [23-24] (2012) 1864-1870 10.1016/j.susc.2012.07.029
  2. Akihiro Ohtake. Cation-anion mixed-dimer structure of Al-induced (2×4) reconstruction on InAs(001). Surface Science. 606 [23-24] (2012) 1886-1891 10.1016/j.susc.2012.07.034
  3. Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling anion composition at MIS interfaces on III-V channels by plasma processing. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [6R] (2012) 065701 10.1143/jjap.51.065701
2011
  1. Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO2/InGaAs(100) MOS Capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 50 [10] (2011) 10PD01 10.1143/jjap.50.10pd01
  2. Akihiro Ohtake. Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001). Journal of Applied Physics. 110 [3] (2011) 033506 10.1063/1.3609066
  3. Akihiro Ohtake, Kazutaka Mitsuishi. Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111). Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 29 [3] (2011) 031804 10.1116/1.3589807
2010
  1. Takaaki Mano, Marco Abbarchi, Takashi Kuroda, Brian McSkimming, Akihiro Ohtake, Kazutaka Mitsuishi, Kazuaki Sakoda. Self-Assembly of Symmetric GaAs Quantum Dots on (111)A Substrates: Suppression of Fine-Structure Splitting. Applied Physics Express. 3 [6] (2010) 065203 10.1143/apex.3.065203 Open Access
  2. Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake. Effect of Interface Oxidation on the Electrical Characteristics of HfO2/Ultrathin-Epitaxial-Ge/GaAs(100) Structures. Applied Physics Express. 3 [3] (2010) 035701 10.1143/apex.3.035701
2009
  1. Akihiro Ohtake, Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori. Variable stoichiometry in Sb-induced (2x4) reconstructions on GaAs(001) . Physical Review B. 80 [23] (2009) 235329 10.1103/physrevb.80.235329
  2. Akihiro Ohtake, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Anisotropic kinetics on growing Ge(001) surfaces. Surface Science. 603 [5] (2009) 826-830 10.1016/j.susc.2008.12.038
2008
  1. YASUDA Testuji, MIYATA Noriyuki, OHTAKE, Akihiro. Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs. APPLIED SURFACE SCIENCE. (2008) 7565-7568
  2. Akihiro Ohtake. Surface reconstructions on GaAs(001). Surface Science Reports. 63 [7] (2008) 295-327 10.1016/j.surfrep.2008.03.001
  3. Akihiro Ohtake, Jun Nara, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Ge-induced (1x2) surface reconstruction on GaAs(001): A precursor to As segregation. Physical Review B. 77 [19] (2008) 195309 10.1103/physrevb.77.195309
2007
  1. Akihiro Ohtake. Structure and composition of Ga-rich (6x6) reconstructions on GaAs(001). Physical Review B. 75 [15] (2007) 153302 10.1103/physrevb.75.153302
2006
  1. Akihiro Ohtake. Structures of the As-deficient phase on GaAs(001)-(2x4). Physical Review B. 74 [16] (2006) 165322 10.1103/physrevb.74.165322
  2. Akihiro Ohtake, Nobuyuki Koguchi. Self-assembled growth of ordered GaAs nanostructures. Applied Physics Letters. 89 [8] (2006) 083108 10.1063/1.2338530
  3. K. Seino, W. G. Schmidt, A. Ohtake. Ga-rich GaAs(001) surface from ab-initio calculations: Atomic structure of the (4x6) and (6x6) reconstructions. Physical Review B. 73 [3] (2006) 035317 10.1103/physrevb.73.035317
  4. Akihiro Ohtake. Atomic structure of the Ga nanoclusters on Si(111)-(7x7). Physical Review B. 73 [3] (2006) 033301 10.1103/physrevb.73.033301
2004
  1. Akihiro Ohtake, Pavel Kocán, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, Nobuyuki Koguchi. Ga-Rich Limit of Surface Reconstructions on GaAs(001): Atomic Structure of the(4×6)Phase. Physical Review Letters. 93 [26] (2004) 266101 10.1103/physrevlett.93.266101
  2. Pavel Kocán, Akihiro Ohtake, Nobuyuki Koguchi. Structural features of Ga-rich GaAs(001) surfaces: Scanning tunneling microscopy study. Physical Review B. 70 [20] (2004) 201303 10.1103/physrevb.70.201303
  3. Norihisa Oyama, Akihiro Ohtake, Shiro Tsukamoto, Nobuyuki Koguchi, Takahisa Ohno. Proposal of Selective Growth Technique Using Periodic Strain Field Caused by Misfit Dislocations. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [No. 11A] (2004) L1422-L1424 10.1143/jjap.43.l1422
  4. OHTAKE, Akihiro, 中村淳, KOGUCHI, Nobuyuki, 名取晃子. Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface. SURFACE SCIENCE. (2004) 58-62
  5. Akihiro Ohtake, Pavel Kocán, Jun Nakamura, Akiko Natori, Nobuyuki Koguchi. Kinetics in Surface Reconstructions on GaAs(001). Physical Review Letters. 92 [23] (2004) 236105 10.1103/physrevlett.92.236105

書籍 TSV

会議録 TSV

口頭発表 TSV

2024
  1. 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. 二次元電子ガスにおけるサブバンド数が 熱電出力因子に与える影響. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  2. MA, Zhao, MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro, KURODA, Takashi. Effects of surface treatments on the photoluminescence intensity of buried quantum wells. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  3. 間野 高明, 大竹 晃浩. GaAs(111)A上のInSbメタモルフィック成長：InAs界面層の挿入効果. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
2023
  1. MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro. InSb growth on GaAs (111)A: Effects of InAs interlayer. 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023). 2023
  2. 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける多数サブバンドによる熱電出力因子向上. 第20回日本熱電学会学術講演会. 2023
  3. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)A赤外線検出器の特性評価. 第84回応用物理学秋季学術講演会. 2023
  4. 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御. 第84回応用物理学秋季学術講演会. 2023
  5. 奈良 純, 大竹 晃浩. GaAs(111)B上に成長させたMoTe2単層膜の構造と電子状態. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  6. NARA, Jun, OHTAKE, Akihiro. Geometric and electronic structures of MoTe2 monolayer grown on GaAs(111)B surface. 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36). 2023
  7. YANG, Xu, LI, Shisheng, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Scalable growth of atomically-thin MoS2 layers in conventional MOCVD system using molybdenum oxychloride as the molybdenum source. ICCGE-20. 2023
2022
  1. OHTAKE, Akihiro, NARA, Jun. Twisted and non-twisted MoTe2 epitaxial domains on GaAs(111)B. MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference). 2022
  2. 間野 高明, 黒田 隆, 大竹 晃浩. 液滴エピタキシー法による量子ドットの作製とその量子光源応用. 第51回結晶成長国内会議（JCCG-51）. 2022 招待講演
  3. 大竹 晃浩, 楊 旭, 奈良 純. GaAs(111)B 上におけるMoTe2 エピタキシャル薄膜の配向性および安定性. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  4. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 佐久間 芳樹. GaAs(111)A上のInAsメタモルフィック成長：成長温度依存. 2022年第83回応用物理学秋季学術講演会. 2022
  5. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  6. 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹. InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
2021
  1. 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
2020
  1. 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大. 第67回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/. 2020
2019
  1. 上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村芳明. 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価. 応用物理学会関西支部第二回講演会. 2019
  2. 須賀隆之, 後藤俊治, OHTAKE, Akihiro, 中村淳. Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces. The Irago Conference 2019. 2019
  3. 須賀隆之, 後藤俊治, OHTAKE, Akihiro, 中村淳. Mechanism of chalcogen passivation of GaAs surfaces. AVS 66th international symposium & exhibition. 2019
  4. SAKUMA, Yoshiki, LI, Shisheng, IKEDA, Naoki, OHTAKE, Akihiro. Impact of Glass Substrates on MoS2 Monolayers Grown by Novel Oxychloride CVD. The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference http://www.rpgrconf.com/2019/index.php. 2019
  5. OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. Heteroepitaxy of MoSe2 on GaSe-terminated Si(111). The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference. 2019
  6. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. MoSe2/GaAsヘテロエピタキシーにおける基板面方位依存性. 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  7. 佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩. ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  8. 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. 二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価. 第16回 日本熱電学会学術講演会. 2019
  9. 須賀 隆之, 後藤 俊治, OHTAKE, Akihiro, 中村 淳. Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces. Compound Semiconductor Week. 2019
2018
  1. 後藤俊治, 大竹 晃浩, 中村淳. Stabilization mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B surface. AVS 65th International Symposium & Exhibition. 2018
  2. 後藤俊治, 大竹 晃浩, 中村淳. S処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 大竹 晃浩, 間野 高明. WOCl4をプリカーサに用いたWS2単層膜のガス原料CVD. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  4. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  5. 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. Scalable growth of high-quality MoS2 and WS2 atomic layers using oxychloride sources in MOCVD reactor. ICMOVPE-XIX. 2018
  6. 後藤俊治, 大竹 晃浩, 赤石暁, 中村淳. Se 処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性. 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. 後藤俊治, 大竹 晃浩, 赤石暁, 中村淳. Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface. The Irago Conference 2017. 2017
  2. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. A New Route to Grow Highly-Mismatched InGaAs on GaAs (111)A by Inserting Atomically Thin InAs Layers. Semicon Nano 2017. 2017 招待講演
  3. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  4. 大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳. Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構. 第78回応用物理学会秋期学術講演会. 2017
2016
  1. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長. 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  2. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. ガス状プリカーサーを用いたMoS2単層膜のスケーラブルなCVD成長. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  3. 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ　サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
2015
  1. 赤石暁, 船附顕汰, 大竹 晃浩, 中村淳. First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2×2) surface. 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy. 2015
  2. 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象：ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて. 第１１回量子ナノ材料セミナー. 2015 招待講演
  3. ハ ヌル, 間野 高明, 黒田 隆, Shun-Jen Cheng, Paul M. Koenraad, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. The 76th JSAP Autumn Meeting. 2015
  4. 大竹 晃浩, 萩原敦, 船附顕汰, 中村淳. GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  5. 岩長 祐伸, 崔 峯碩, 宮崎 英樹, 杉本 喜正, 大竹 晃浩, 迫田 和彰. Plasmo-Photonic Metasurfaces Manipulating Electronic Processes in Fluorescent Molecules. META 2015, The 6th International Conference on Metamaterials, Ph. 2015
2014
  1. 宮田典幸, 大竹 晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二. Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性. 第75回応用物理学会秋季学術講演会 . 2014
  2. 萩原敦, 大竹 晃浩, 中村淳. 第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  3. 大竹 晃浩, 間野 高明, ハ ヌル. GaAs{111}A,B表面上でのGa液滴形成. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二. Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  6. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  7. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
  8. 大竹 晃浩. Mn-GaAs系二次元構造制御による 新規強磁性半導体相の創製と評価 . 早稲田大学 総合研究機構 凝縮系物質科学研究所2014年度 第1回. 2014 招待講演
  9. 間野 高明, 大竹 晃浩, 黒田 隆, ハ ヌル, 劉 祥明, 三石 和貴, 萩原敦, 中村淳, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) . 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures. 2014 招待講演
  10. 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. 大竹 晃浩, 宮田典幸, 市川昌和, 安田哲二. Electrical Characteristics and Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces. 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE. 2013
  2. 萩原敦, 大竹 晃浩, 奥北和哉, 中村淳. Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価. 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  3. 大竹 晃浩, 間野 高明. GaAs(001)上でのGa液滴形成におよぼす基板表面再配列の影響. 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  4. ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. GaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
2012
  1. 大竹 晃浩. Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012. 2012 招待講演
  2. 大竹 晃浩, 萩原敦, 中村淳. Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列. 第73回応用物理学会学術講演会 . 2012
  3. 大竹 晃浩. Initial nitridation processes of GaAs(001). 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. 2012
  4. 菅野雄介, 大竹 晃浩, 中村淳. Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
2011
  1. 菅野雄介, 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳. GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価. 日本物理学会　2011年秋季大会. 2011
  2. 卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹 晃浩, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一. InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  3. 大竹 晃浩. 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  4. 大竹 晃浩, 平山基, 菅野雄介, 中村淳. Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001). ISCS 2011. 2011
  5. OHTAKE, Akihiro. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO2/InGaAs(100) MOS Capacitors. 2011 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE . 2011
2010
  1. 大竹 晃浩. 化合物半導体の表面再配列. 真空・表面科学合同講演会(第51回真空に関する連合講演会). 2010 招待講演
  2. 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳. Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列. 日本物理学会 2010年秋季大会. 2010
  3. 大竹 晃浩, 宮田典幸, 卜部友二, 安田哲二. InGaAs(001)表面再配列構造とHfO2/InGaAs 界面特性. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  4. 間野 高明, アバルキ マルコ, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
2009
  1. 大竹 晃浩, 三石 和貴. InAs/Si(111)ヘテロエピタキシーにおける極性制御. 2009年度秋季第70回応用物理学会学術講演会. 2009
  2. 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, アバルキ マルコ, 野田 武司, 迫田 和彰. Droplet epitaxy on GaAs (111)A. SemiconNano2009. 2009 招待講演
  3. 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 野田 武司, 迫田 和彰. Self-assembly of symmetric, unstrained GaAs quantum dots without wetting layer by droplet epitaxy. 14th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures. 2009
  4. 大竹 晃浩, 三石 和貴. InAs heteroepitaxy on Si(111). ICFSI-12, 2009 . 2009
  5. 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央. Initial growth structure of Ge on GaAs(001). 2009 MRS Spring Meeting. 2009
  6. 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央. Investigation on Ge induced GaAs(001)-(1x2) structure. American Physical Society 2009 March Meeting. 2009
2008
  1. 安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一. Impact of Cation Composition and Surface Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces. IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2008
  2. 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳, 名取晃子. GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  3. 安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一. InGaAs上へのAlOのALD成長による良好なMIS界面特性の実現 . 2008年秋季　第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  4. 大竹 晃浩, 安田哲二, 宮田典幸. Ge/GaAs(001)ヘテロエピタキシーにおける成長異方性. 2008年秋季　第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  5. 大竹 晃浩, 奈良 純, 安田哲二, 宮田典幸. GaAs(001)-(1x2)-Ge吸着構造. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  6. 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩. HfO2/GaAs界面特性改善に向けたGe挿入層効果の検討. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
2007
  1. 大竹 晃浩. GaAs(001)表面上のMn吸着構造. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  2. 宮田典幸, 大竹 晃浩, 安田哲二. High-k/III-V界面構造における初期表面再構成の影響. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  3. 大竹 晃浩. Sb吸着GaAs(001)-(2x4)表面の原子配列. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  4. 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩. High-k/III-V界面制御に向けたモニタリング法の検討：反射率差分光(RDS)の適用可能性. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
2006
  1. 大竹 晃浩. Si(111)-(7x7)上Gaナノクラスターの構造解析. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  2. 大竹 晃浩. Structure analysis of the Ga nanoculsters on Si(111)-(7x7). 28th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2006
  3. 大竹 晃浩. Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  4. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf Gero Schmidt, 小口 信行. GaリッチなGaAs(001)-(4x6)および(6x6)表面構造. 春季第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
2005
  1. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 小口 信行. 最もGaリッチなGaAs(001)-(4x6)表面の新たな構造モデル. 日本物理学会　2005年秋季大会. 2005
  2. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001). 23rd European Conference on Surface Science. 2005
  3. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. Two Types of Surface Atomic Structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4). International Conference on the Structure of Surfaces. 2005
  4. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 小口 信行. Structure of GaAs(001)-(4x6): Ga-Rich Limit of Surface Reconstruction. International Conference on the Structure of Surfaces. 2005
  5. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. Surface Structures of GaAs(001) under Extreme As- and Ga-Rich Conditions. The 13th International Conference on Scanning Tunneling Microsco. 2005
  6. 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 小口 信行. First-Principles Study of Ga-Rich Limit of Surface Reconstructions on GaAs(001): Atomic Structure of (4x6) Phase. 8th International Conference on Atomically Controlled Surface, I. 2005
2004
  1. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  2. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. GaAs(001)-c(4x4)表面構造のAs分子種依存性. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  3. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 小口 信行. Surface structures of GaAs(001) under Ga-stabilized condition. IVC-16, ICSS-12, NANO-8, AIV-17. 2004
  4. Pavel Kocan, 大竹 晃浩, 小口 信行. Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  5. Pavel Kocan, 大竹 晃浩, 小口 信行. Structure of GaAs(001)-(6x6) and (4x6) Reconstructions - High Resolution Scanning Tunneling Microscopy Study. The 9th International Symposium on Advanced Physical Fields. 2004

その他の文献 TSV

2008
  1. 大竹 晃浩. ZnSe/GaAs(111)A系における結晶多形. 日本結晶成長学会誌. 34 [4] (2008) 30-35

公開特許出願 TSV

  1. 赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置 (2023)
  2. 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス (2015)
  3. デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
  4. 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)

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