SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > プロフィール > 大竹 晃浩

大竹 晃浩
Address
305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
  • 論文・発表

[研究論文] |[書籍] |[会議録] |[口頭発表] |[特許]

研究論文 TSV

2016
  1. Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer. Crystal Growth & Design. 16 [9] (2016) 5412-5417 10.1021/acs.cgd.6b00899
  2. Akira Akaishi, Kenta Funatsuki, Akihiro Ohtake, Jun Nakamura. First-principles study of locally disordered structures of Mn-induced GaAs(001)-(2 × 2) surface. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S1] (2016) 08NB21 10.7567/jjap.55.08nb21
  3. Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, Kazuya Okukita, Kenta Funatsuki, Jun Nakamura. Mn-Induced Surface Reconstructions on GaAs(001). The Journal of Physical Chemistry C. 120 [11] (2016) 6050-6062 10.1021/acs.jpcc.5b12309
2014
  1. Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, Tetsuji Yasuda. Electrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces. Applied Physics Letters. 104 [23] (2014) 232104 10.1063/1.4882643
  2. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura. Self-Assembled Growth of Ga Droplets on GaAs(001): Role of Surface Reconstructions. Crystal Growth & Design. 14 [6] (2014) 3110-3115 10.1021/cg500355f
  3. Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Noriyuki Miyata, Takahiro Mori, Tetsuji Yasuda. Heteroepitaxy of GaSb on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors. Applied Physics Letters. 104 [3] (2014) 032101 10.1063/1.4862542
2013
  1. Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura. Controlled incorporation of Mn in GaAs: Role of surface reconstructions. Physical Review B. 87 [16] (2013) 10.1103/physrevb.87.165301
2012
  1. Akihiro Ohtake. Cation-anion mixed-dimer structure of Al-induced (2×4) reconstruction on InAs(001). Surface Science. 606 [23-24] (2012) 1886-1891 10.1016/j.susc.2012.07.034
  2. Akihiro Ohtake, Toru Akiyama Tomonori Ito. As-rich (2×2) surface reconstruction on GaAs(111)A. Surface Science. 606 [23-24] (2012) 1864-1870 10.1016/j.susc.2012.07.029
  3. Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [6R] (2012) 065701 10.7567/jjap.51.065701
2011
  1. Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO$_{2}$/InGaAs(001) Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 50 [10] (2011) 10PD01 10.1143/jjap.50.10pd01
  2. Akihiro Ohtake. Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001). Journal of Applied Physics. 110 [3] (2011) 033506 10.1063/1.3609066
  3. Akihiro Ohtake, Kazutaka Mitsuishi. Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111). Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 29 [3] (2011) 031804 10.1116/1.3589807
2009
  1. Akihiro Ohtake, Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori. Variable stoichiometry in Sb-induced(2×4)reconstructions on GaAs(001). Physical Review B. 80 [23] (2009) 10.1103/physrevb.80.235329
  2. Akihiro Ohtake, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Anisotropic kinetics on growing Ge(001) surfaces. Surface Science. 603 [5] (2009) 826-830 10.1016/j.susc.2008.12.038
2008
  1. Nobuyasu NARUSE, Tetsuya MISHIMA, Sung-Pyo CHO, Masato HAGIMOTO, Akihiro OHTAKE, Toshiaki OSAKA. Direct Imaging of InSb(001)-c(8*2) Reconstruction. Hyomen Kagaku. 24 [9] (2008) 578-585 10.1380/jsssj.24.578
  2. Akihiro Ohtake. Surface reconstructions on GaAs(001). Surface Science Reports. 63 [7] (2008) 295-327 10.1016/j.surfrep.2008.03.001
  3. Akihiro Ohtake, Jun Nara, Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata. Ge-induced(1×2)surface reconstruction on GaAs(001): A precursor to As segregation. Physical Review B. 77 [19] (2008) 10.1103/physrevb.77.195309
  4. 大竹 晃浩. ZnSe/GaAs(111)A系における結晶多形. 日本結晶成長学会誌. 34 [4] (2008) 30-35
2004
  1. Akihiro Ohtake, Pavel Kocán, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, Nobuyuki Koguchi. Ga-Rich Limit of Surface Reconstructions on GaAs(001): Atomic Structure of the(4×6)Phase. Physical Review Letters. 93 [26] (2004) 10.1103/physrevlett.93.266101
  2. Pavel Kocán, Akihiro Ohtake, Nobuyuki Koguchi. Structural features of Ga-rich GaAs(001) surfaces: Scanning tunneling microscopy study. Physical Review B. 70 [20] (2004) 10.1103/physrevb.70.201303
  3. Norihisa Oyama, Akihiro Ohtake, Shiro Tsukamoto, Nobuyuki Koguchi, Takahisa Ohno. Proposal of Selective Growth Technique Using Periodic Strain Field Caused by Misfit Dislocations. Japanese Journal of Applied Physics. 43 [No. 11A] (2004) L1422-L1424 10.1143/jjap.43.l1422
  4. Akihiro Ohtake, Pavel Kocán, Jun Nakamura, Akiko Natori, Nobuyuki Koguchi. Kinetics in Surface Reconstructions on GaAs(001). Physical Review Letters. 92 [23] (2004) 10.1103/physrevlett.92.236105

書籍 TSV

会議録 TSV

2012
  1. Wipakorn Jevasuwan, Yuji Urabe, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Akihiro Ohtake, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, Sunghoon Lee, Takuya Hoshii, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi. Controlling Anion Composition at Metal–Insulator–Semiconductor Interfaces on III–V Channels by Plasma Processing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2012, 065701-1-065701-5
2011
  1. Akihiro Ohtake, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Tetsuji Yasuda. Impact of Cation Surface Termination on the Electrical Characteristics of HfO$_{2}$/InGaAs(001) Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2011, 10PD01-1-10PD01-5
2008
  1. YASUDA Testuji, MIYATA Noriyuki, OHTAKE, Akihiro. Influence of Initial Surface Reconstruction on the Interface Structure of HfO2/GaAs. APPLIED SURFACE SCIENCE 2008, 7565-7568
2004
  1. OHTAKE, Akihiro, 中村淳, KOGUCHI, Nobuyuki, 名取晃子. Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface. SURFACE SCIENCE 2004, 58-62

口頭発表 TSV

2019
  1. 佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩. ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  2. 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明. 二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価. 第16回 日本熱電学会学術講演会. 2019
2017
  1. Shunji Goto, OHTAKE, Akihiro, Akira Akaishi, Jun Nakamura. Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface. The Irago Conference 2017. 2017
  2. MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro, SAKUMA, Yoshiki. A New Route to Grow Highly-Mismatched InGaAs on GaAs (111)A by Inserting Atomically Thin InAs Layers. Semicon Nano 2017. 2017
  3. 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  4. 大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳. Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構. 第78回応用物理学会秋期学術講演会. 2017
2016
  1. 佐久間 芳樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. ガス状プリカーサーを用いたMoS2単層膜のスケーラブルなCVD成長. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  2. 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長. 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  3. 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
2014
  1. 大竹 晃浩, 間野 高明, ハ ヌル. GaAs{111}A,B表面上でのGa液滴形成. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  2. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  3. 萩原敦, 大竹 晃浩, 中村淳. 第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二. Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. 宮田典幸, 大竹 晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二. Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性. 第75回応用物理学会秋季学術講演会 . 2014
  6. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  7. HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
  8. 大竹 晃浩. Mn-GaAs系二次元構造制御による 新規強磁性半導体相の創製と評価 . 早稲田大学 総合研究機構 凝縮系物質科学研究所2014年度 第1回. 2014
  9. MANO, Takaaki, OHTAKE, Akihiro, KURODA, Takashi, HA, Neul, LIU, Xiangming, MITSUISHI, Kazutaka, Atsushi Hagiwara, Jun Nakamura, CASTELLANO, Andrea, Stefano, Sanguinetti, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) . 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures. 2014
  10. 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. OHTAKE, Akihiro, Noriyuki Miyata, Masakazu Ichikawa, Tetsuji Yasuda. Electrical Characteristics and Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces. 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE. 2013
  2. 萩原敦, 大竹 晃浩, 奥北和哉, 中村淳. Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価. 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  3. 大竹 晃浩, 間野 高明. GaAs(001)上でのGa液滴形成におよぼす基板表面再配列の影響. 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  4. ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. GaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
2012
  1. OHTAKE, Akihiro. Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012. 2012
  2. 大竹 晃浩, 萩原敦, 中村淳. Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列. 第73回応用物理学会学術講演会 . 2012
  3. OHTAKE, Akihiro. Initial nitridation processes of GaAs(001). 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. 2012
  4. 菅野雄介, 大竹 晃浩, 中村淳. Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態. 日本物理学会第67回年次大会. 2012
2011
  1. 菅野雄介, 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳. GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価. 日本物理学会 2011年秋季大会. 2011
  2. 大竹 晃浩. 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  3. 卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹 晃浩, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一. InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  4. OHTAKE, Akihiro, Motoi Hirayama, Yusuke Kanno, Jun Nakamura. Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001). ISCS 2011. 2011
2010
  1. 大竹 晃浩. 化合物半導体の表面再配列. 真空・表面科学合同講演会(第51回真空に関する連合講演会). 2010
  2. 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳. Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列. 日本物理学会 2010年秋季大会. 2010
  3. 大竹 晃浩, 宮田典幸, 卜部友二, 安田哲二. InGaAs(001)表面再配列構造とHfO2/InGaAs 界面特性. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  4. 間野 高明, アバルキ マルコ, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
2008
  1. Yasuda Tetsuji, Miyata Noriyuki, Ishii Hiroyuki, Itatani Taro, Ichikawa Osamu, Fukuhara Noboru, Hata Masahiko, OHTAKE, Akihiro, Haimoto Takashi, Hoshii Takuya, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinnichi. Impact of Cation Composition and Surface Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces. IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2008
  2. 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳, 名取晃子. GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  3. 安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一. InGaAs上へのAlOのALD成長による良好なMIS界面特性の実現 . 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  4. 大竹 晃浩, 安田哲二, 宮田典幸. Ge/GaAs(001)ヘテロエピタキシーにおける成長異方性. 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  5. 大竹 晃浩, 奈良 純, 安田哲二, 宮田典幸. GaAs(001)-(1x2)-Ge吸着構造. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  6. 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩. HfO2/GaAs界面特性改善に向けたGe挿入層効果の検討. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
2007
  1. 大竹 晃浩. GaAs(001)表面上のMn吸着構造. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  2. 宮田典幸, 大竹 晃浩, 安田哲二. High-k/III-V界面構造における初期表面再構成の影響. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  3. 大竹 晃浩. Sb吸着GaAs(001)-(2x4)表面の原子配列. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  4. 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩. High-k/III-V界面制御に向けたモニタリング法の検討:反射率差分光(RDS)の適用可能性. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
2006
  1. 大竹 晃浩. Si(111)-(7x7)上Gaナノクラスターの構造解析. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  2. OHTAKE, Akihiro. Structure analysis of the Ga nanoculsters on Si(111)-(7x7). 28th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2006
  3. 大竹 晃浩. Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター. 日本物理学会第61回年次大会. 2006
  4. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf Gero Schmidt, 小口 信行. GaリッチなGaAs(001)-(4x6)および(6x6)表面構造. 春季第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
2005
  1. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 小口 信行. 最もGaリッチなGaAs(001)-(4x6)表面の新たな構造モデル. 日本物理学会 2005年秋季大会. 2005
  2. OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, KOGUCHI, Nobuyuki. Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001). 23rd European Conference on Surface Science. 2005
  3. OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, 中村淳, 名取晃子, KOGUCHI, Nobuyuki. Two Types of Surface Atomic Structures for As-rich GaAs(001)-c(4x4). International Conference on the Structure of Surfaces. 2005
  4. OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, KOGUCHI, Nobuyuki. Structure of GaAs(001)-(4x6): Ga-Rich Limit of Surface Reconstruction. International Conference on the Structure of Surfaces. 2005
  5. OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, KOGUCHI, Nobuyuki. Surface Structures of GaAs(001) under Extreme As- and Ga-Rich Conditions. The 13th International Conference on Scanning Tunneling Microsco. 2005
  6. 制野かおり, Wolf G. Schmidt, OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, KOGUCHI, Nobuyuki. First-Principles Study of Ga-Rich Limit of Surface Reconstructions on GaAs(001): Atomic Structure of (4x6) Phase. 8th International Conference on Atomically Controlled Surface, I. 2005
2004
  1. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造. 日本物理学会2004年秋季大会. 2004
  2. 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行. GaAs(001)-c(4x4)表面構造のAs分子種依存性. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  3. OHTAKE, Akihiro, Pavel, Kocan, KOGUCHI, Nobuyuki. Surface structures of GaAs(001) under Ga-stabilized condition. IVC-16, ICSS-12, NANO-8, AIV-17. 2004
  4. Pavel Kocan, 大竹 晃浩, 小口 信行. Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
  5. Pavel, Kocan, OHTAKE, Akihiro, KOGUCHI, Nobuyuki. Structure of GaAs(001)-(6x6) and (4x6) Reconstructions - High Resolution Scanning Tunneling Microscopy Study. The 9th International Symposium on Advanced Physical Fields. 2004

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6241939号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2017)
  2. 特許第6153224号 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイス (2017)
  3. 特許第5599089号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2014)
公開特許
  1. 特開2015162605号 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス (2015)
  2. 特開2010161349号 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 (2010)
外国特許
  1. No. CN103474354A Semiconductor device, process for producing semiconductor device, semiconductor substrate, and process for producing semiconductor substrate (2013)
  2. No. CN102239549A The method for manufacturing the semiconductor device, semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor substrate and the semiconductor substrate (2011)
  3. No. US20110233689A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  4. No. KR2011091507A SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2011)
  5. No. TW201030968A Semiconductor device, method for making a semiconductor device, semiconductor substrate, and method for making a semiconductor substrate (2010)
  6. No. WO2010067525A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (2010)

▲ページトップへ移動