液滴エピタキシー法による(111)A面上の低密度・高対称 InAs量子ドットの自己形成
(Self-assembly of symmetric InAs quantum dots with low density on (111)A surfaces by droplet epitaxy)
第73応用物理学会春季学術講演会. 2026年03月15日-2026年03月18日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-04-01 03:06:47 +0900 更新時刻: 2026-04-01 03:06:47 +0900