SAMURAI - NIMS Researchers Database

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研究内容

Keywords

化合物半導体、結晶成長、ウェハ接合

III-V族化合物半導体は、直接遷移型バンドギャップやヘテロ構造界面といった優れた物性を利用することで、赤外波長レーザーダイオードや高電子移動度トランジスタ(HEMT)に代表される光・エレクトロニクスデバイスに広く応用されている。本研究では、結晶成長技術を基軸として、新たな材料系との融合や極限環境における計測を推進することで、次世代の半導体デバイスを牽引するための革新的技術の開拓を目指す。

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・III-V化合物半導体発光層を結晶成長したウェハとシリコンオンインシュレータ(SOI)ウェハを150°Cという低温で直接接合することで、欠陥を抑制したIII-V/Siプラットフォームを実現できる。本手法で作製したIII-V/Siハイブリッドレーザダイオードは、間接遷移型であるSiを用いたシリコンフォトニクス光回路上に光源を一括集積する手法として利用できる。
・ナノビームX線回折でナノパターンAlN構造を測定し、3次元逆格子マップを深さ分解しながら測定することで、AlNの結晶成長過程において、薄膜/基板界面から試料表面に至るまでにどのような歪変化が誘起されているかを高空間分解能で把握することができる。本手法を発展させることでデバイス動作下での歪計測にも応用することができ、デバイス内部に埋め込まれた構造やその近傍の歪みの観点からの素子の性能向上や故障解析が期待できる。

出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。

所属学会

応用物理学会

受賞履歴

  • 第45回応用物理学会講演奨励賞 (2018)
  • Best Young Scientist Award, 2017 International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD2017) (2017)
  • 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 研究奨励賞 (2017)

外部資金獲得履歴

  • 池谷科学技術振興財団 (2023)
  • 科研費・基盤研究(B) (2023)
  • 科研費・国際共同研究強化(B) (2022)
  • 光科学技術研究振興財団 (2020)
  • 科研費・若手研究 (2019)
  • 東電記念財団 (2018)
  • 科研費・研究活動スタート支援 (2017)
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