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林 侑介

林 侑介 (HAYASHI, Yusuke) 0000-0001-5672-1497

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305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
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論文 TSV

2026
  1. Zhendong Wu, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Junichi Takino, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai. Uncovering crystal structure evolution via nanobeam X-ray diffraction with a continuity-driven machine learning approach. Materials & Design. 263 (2026) 115669 10.1016/j.matdes.2026.115669 Open Access
  2. Ryohei Yamamoto, Yusuke Hayashi, Zhuo Diao, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. A Four‐Terminal TiO 2− x Memristor Architecture Enabling Multidimensional Associative Learning. physica status solidi (a). 223 [17] (2026) e70507 10.1002/pssa.70507 Open Access
  3. Zijie Meng, Ryohei Yamamoto, Hayato Kamitsuna, Yusuke Hayashi, Zhuo Diao, Tetsuya Tohei, Akira Sakai. Embedding Operant Conditioning Functions in a Four-Terminal Memristor. ACS Applied Electronic Materials. (2026) acsaelm.6c00586 10.1021/acsaelm.6c00586
2025
  1. Zhendong Wu, Yusuke Hayashi, Tetsuya Tohei, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Akira Sakai. Machine learning assisted nanobeam X-ray diffraction based analysis on hydride vapor-phase epitaxy GaN. Journal of Applied Crystallography. 58 [4] (2025) S1600576725004169 10.1107/s1600576725004169 Open Access
  2. Akihiro Shimada, Haruna Shiomi, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Masaya Yamaguchi, Junpei Yamamoto, Takeaki Hamachi, Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Shota Kaneki, Tamotsu Hashizume, Akira Sakai. In situ nanobeam x-ray diffraction of local strain in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors under operating condition. Journal of Applied Physics. 138 [7] (2025) 075701 10.1063/5.0275921 Open Access
  3. Akihiro Ohtake, Yusuke Hayashi. Controlled polarity inversion in GaAs/Ge/GaAs{111} heterostructures. Applied Physics Letters. 126 [20] (2025) 201601 10.1063/5.0271426 Open Access
  4. Tomoyuki Horikawa, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Akira Sakai. Analyses of oxygen precipitates in CZ-Si by X-ray diffuse scattering using parallel X-ray beam. Japanese Journal of Applied Physics. 64 [4] (2025) 045502 10.35848/1347-4065/adc0d3 Open Access
2024
  1. T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai. Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. 135 [22] (2024) 225702 10.1063/5.0199961 Open Access

書籍 TSV

会議録 TSV

口頭発表 TSV

2026
  1. 間野 高明, 大竹 晃浩, クレシュ ニキータ, ボリャーチキン アントーン, 門平 卓也, 石田 暢之, 林 侑介, 黒田 隆. 高Al組成メタモルフィックInAlAs/GaAs(111)A上の InAs量子ドットの自己形成. 2026年 第87応用物理学会秋季学術講演会. 2026
  2. 林 侑介, 佐々木 拓生. その場X線回折によるGaN上AlN薄膜の結晶トランケーションロッド散乱測定. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026
  3. 林 侑介, 大竹 晃浩, 間野 高明. III-V{111}配向量子もつれ光源に向けた GaAs(111)Bジャスト基板上GaAs/AlGaAs分布ブラッグ反射鏡の成長. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026
  4. 大竹 晃浩, 間野 高明, 石田 暢之, 三石 和貴, 林 侑介, 山岸 佑真, 中村 淳. 極性制御されたGaAs/Ge/GaAs{111}構造におけるバンドオフセット. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026
  5. HAYASHI, Yusuke, OHTAKE, Akihiro, MANO, Takaaki. Growth of GaAs/AlGaAs Distributed Bragg Reflectors on GaAs(111)B for {111}-Oriented Quantum Dot Photonic Structures. Compound Semiconductor Week 2026 (CSW 2026). 2026
  6. 間野 高明, 大竹 晃浩, キューレッシュ ニキーター, ボリャーチキン アントーン, 門平 卓也, 林 侑介, 黒田 隆. 液滴エピタキシー法による(111)A面上の低密度・高対称 InAs量子ドットの自己形成. 第73応用物理学会春季学術講演会. 2026
2025
  1. 大竹 晃浩, 林 侑介, 間野 高明. GaAs/Ge/GaAs{111}ヘテロ構造における極性制御. 2025年第86回応用物理学会秋期学術講演会. 2025
  2. HAYASHI, Yusuke, Kouto Tamamizu, Taisuke Ota, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Microscopic Raman study of GaN p―n junction diodes grown on OVPE GaN substrates. 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15). 2025
  3. 林 正桓, 成澤 功喜, Encomendero Jimy, Xing Huili (Grace), Jena Debdeep, 林 侑介, 三宅 秀人, 宮本 恭幸. pコンタクト層の無い2DHG GaN 構造のFET動作. 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会. 2025
  4. HAYASHI, Yusuke, Tetsuya Tohei, Zexuan Zhang, Huili (Grace) Xing, Debdeep Jena, Yongjin Cho, Hideto Miyake, Akira Sakai. Microstructures of MBE-Grown AlN on N-polar Sputtered and Annealed AlN templates. 透明酸化物光・電子材料研究会 第11回研究会 & 意見交換会. 2025
2024
  1. HAYASHI, Yusuke, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 分島彰男, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 酒井朗. In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates. 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024). 2024

その他の文献 TSV

公開特許出願 TSV

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