HOME > 口頭発表 > 書誌詳細In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substratesHAYASHI, Yusuke, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 分島彰男, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 酒井朗. 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024). 2024年11月03日-2024年11月08日.NIMS著者林 侑介Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2025-02-23 03:12:00 +0900 更新時刻: 2025-02-23 03:12:00 +0900