HOME > 口頭発表 > 書誌詳細高Al組成メタモルフィックInAlAs/GaAs(111)A上の InAs量子ドットの自己形成(Self-assembly of InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A with high Al content)間野 高明, 大竹 晃浩, クレシュ ニキータ, ボリャーチキン アントーン, 門平 卓也, 石田 暢之, 林 侑介, 黒田 隆. 2026年 第87応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.NIMS著者間野 高明大竹 晃浩キューレッシュ ニキーターボリャーチキン アントーン門平 卓也石田 暢之林 侑介黒田 隆Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900 更新時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900