HOME > Presentation > Detail液滴エピタキシー法による(111)A面上の低密度・高対称 InAs量子ドットの自己形成(Self-assembly of symmetric InAs quantum dots with low density on (111)A surfaces by droplet epitaxy)間野 高明, 大竹 晃浩, キューレッシュ ニキーター, ボリャーチキン アントーン, 門平 卓也, 林 侑介, 黒田 隆. 第73応用物理学会春季学術講演会. March 15, 2026-March 18, 2026.NIMS author(s)MANO, TakaakiOHTAKE, AkihiroKULESH, NikitaBOLYACHKIN, AntonKADOHIRA, TakuyaHAYASHI, YusukeKURODA, TakashiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2026-04-01 03:06:47 +0900 Updated at: 2026-04-01 03:06:47 +0900