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著者名OHTAKE, Akihiro, Noriyuki Miyata, Masakazu Ichikawa, Tetsuji Yasuda.
タイトルElectrical Characteristics and Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces
会議名2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE
発表年2013
言語English
外部での文献参照

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