Electrical Characteristics and Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces
2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE. 2013年11月07日-2013年11月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:42:43 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:42:46 +0900