Strain-induced surface segregation in In0.5Ga0.5As/GaAs heteroepitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Strain-induced surface segregation in In0.5Ga0.5As/GaAs heteroepitaxy
(In0.5Ga0.5As/GaAs系ヘテロエピタキシーにおける歪に誘起された表面偏析)

Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki, Masami Terauchi, Futami Sato, Michiyoshi Tanaka.

Applied Physics Letters 80 [21] 3931-3933. 2002.

https://doi.org/10.1063/1.1482792

NIMS著者

大竹晃浩

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 11:47:09 +0900 更新時刻: 2026-09-28 04:34:24 +0900

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