InGaAs上へのAlOのALD成長による良好なMIS界面特性の実現
(Quality MIS interfaces formed by ALD growth of Al2O3 on InGaAs)
2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008年09月02日-2008年09月05日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:06:20 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:23:12 +0900