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著者名安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一.
タイトルInGaAs上へのAlOのALD成長による良好なMIS界面特性の実現
(Quality MIS interfaces formed by ALD growth of Al2O3 on InGaAs)
会議名2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会
発表年2008
言語Japanese
外部での文献参照

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