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著者名間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰.
タイトルInGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構
(Lattice relaxation mechanism during the growth of InGaAs/InAs/GaAs(111)A)
会議名第77回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2016
言語Japanese
外部での文献参照

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