InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構
(Lattice relaxation mechanism during the growth of InGaAs/InAs/GaAs(111)A)
第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016年09月13日-2016年09月16日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 10:52:51 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:26:23 +0900