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研究内容
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量子ドット、光伝導特性、液滴エピタキシー
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Nobuyuki ISHIDA, Molang CAI, Takeshi NODA, Daisuke FUJITA, Liyuan HAN. オペランド電位計測による電荷分離位置の評価： ペロブスカイト太陽電池への応用. Vacuum and Surface Science. 62 [1] (2019) 9-14 10.1380/vss.62.9
- John N. Moore, Hikaru Iwata, Junichiro Hayakawa, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Naokazu Shibata, Go Yusa. Evidence for a correlated phase of skyrmions observed in real space. PHYSICAL REVIEW B. 98 [16] (2018) 161402-1-161402-6 10.1103/physrevb.98.161402
- Takaaki Mano, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Double-Sided Nonalloyed Ohmic Contacts to Si-doped GaAs for Plasmoelectronic Devices. ACS Omega. 4 [4] (2019) 7300-7307 10.1021/acsomega.8b03260
会議録
- 川津 琢也, NODA, Takeshi, 榊 裕之. Inelastic scattering processes in GaAs/n-AlGaAs selectively doped heterojunctions with InGaAs quantum dots. Physica E. 2003, 425-426
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki. Fabrication of a complex InAs ring-and-dot structure by droplet epitaxy. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 7777-7780
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKODA, Kazuaki, SAKAKI, Hiroyuki. Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on (100) GaAs by droplet epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2009, 1836-1838
口頭発表
- HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
- ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKODA, Kazuaki, HAN, Liyuan. Analysis of voltage dependence of two-step photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells using rate equations. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
- NODA, Takeshi, SHIRAI, Yasuhiro, MIYAZAKI, Hideki, YANAGIDA, Masatoshi, MIYANO, Kenjiro, HAN, Liyuan. エリプソメトリーによるペロブスカイト薄膜の屈折率評価. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
特許
- 特許第5268043号 極微小ダイオード及びその製造方法 (2013)
- 特許第5382696号 半導体光素子と半導体太陽電池 (2013)
- 特許第4953045号 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 (2012)
第二期開発予定
第二期開発予定