- Address
- 305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
外部併任先
- National Institute for Materials Science
研究内容
- Keywords
量子ドット、光伝導特性、液滴エピタキシー
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 石田 暢之, ツァイ モーラン, 野田 武司, 藤田 大介, 韓 礼元. オペランド電位計測による電荷分離位置の評価：ペロブスカイト太陽電池への応用. 表面と真空. 62 [1] (2019) 9-14 10.1380/vss.62.9
- Nobuyuki Ishida, Takaaki Mano, Takeshi Noda. Atomic-scale characterization of highly doped Si impurities in GaAs using scanning tunneling microscopy. Applied Surface Science. 583 (2022) 152373 10.1016/j.apsusc.2021.152373
- Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
会議録
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SIIB05-1-SIIB05-5
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2014, 304-306
- Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-concentration control in GaNAs/AlGaAs quantum wells using nitrogen δ-doping technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. 2014
口頭発表
- 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. GaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響. 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2020
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki. THREE-TERMINAL SOLAR CELLS WITH EMBEDDED QUANTUM WELLS. The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020). 2020
特許
- 特許第5268043号 極微小ダイオード及びその製造方法 (2013)
- 特許第5382696号 半導体光素子と半導体太陽電池 (2013)
- 特許第4953045号 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 (2012)
- 特開2008226918号 極微小ダイオード (2008)
- 特開2006344877号 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 (2006)
- 特開2010206074号 半導体光素子と半導体太陽電池 (2010)