- Address
- 305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
外部併任先
- National Institute for Materials Science
研究内容
- Keywords
量子ドット、光伝導特性、液滴エピタキシー
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- John N. Moore, Hikaru Iwata, Junichiro Hayakawa, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Naokazu Shibata, Go Yusa. Evidence for a correlated phase of skyrmions observed in real space. PHYSICAL REVIEW B. 98 [16] (2018) 161402-1-161402-6 10.1103/physrevb.98.161402
- Nobuyuki ISHIDA, Molang CAI, Takeshi NODA, Daisuke FUJITA, Liyuan HAN. オペランド電位計測による電荷分離位置の評価： ペロブスカイト太陽電池への応用. 表面と真空. 62 [1] (2019) 9-14 10.1380/vss.62.9
- S. Anghel, A. V. Poshakinskiy, K. Schiller, F. Passmann, C. Ruppert, S. A. Tarasenko, G. Yusa, T. Mano, T. Noda, M. Betz. Anisotropic expansion of drifting spin helices in GaAs quantum wells. Physical Review B. 103 [3] (2021) 10.1103/physrevb.103.035429
会議録
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SIIB05-1-SIIB05-5
- Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (111)A. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2014, 304-306
- Takaaki Mano, Masafumi Jo, Takashi Kuroda, Martin Elborg, Takeshi Noda, Yoshimasa Sugimoto, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Nitrogen-concentration control in GaNAs/AlGaAs quantum wells using nitrogen δ-doping technique. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. 2014
口頭発表
- 間野 高明, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 迫田 和彰, 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化. 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. GaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響. 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2020
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki. THREE-TERMINAL SOLAR CELLS WITH EMBEDDED QUANTUM WELLS. The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020). 2020
特許
- 特許第5268043号 極微小ダイオード及びその製造方法 (2013)
- 特許第5382696号 半導体光素子と半導体太陽電池 (2013)
- 特許第4953045号 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 (2012)