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- 305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
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外部併任先
- National Institute for Materials Science
研究内容
- Keywords
量子ドット、光伝導特性、液滴エピタキシー
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- 石田 暢之, ツァイ モーラン, 野田 武司, 藤田 大介, 韓 礼元. オペランド電位計測による電荷分離位置の評価： ペロブスカイト太陽電池への応用. 表面と真空. 62 [1] (2019) 9-14 10.1380/vss.62.9
- John N. Moore, Hikaru Iwata, Junichiro Hayakawa, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, Naokazu Shibata, Go Yusa. Evidence for a correlated phase of skyrmions observed in real space. PHYSICAL REVIEW B. 98 [16] (2018) 161402-1-161402-6 10.1103/physrevb.98.161402
- Xiangyue Meng, Jianbo Lin, Xiao Liu, Xin He, Yong Wang, Takeshi Noda, Tianhao Wu, Xudong Yang, Liyuan Han. Highly Stable and Efficient FASnI 3 ‐Based Perovskite Solar Cells by Introducing Hydrogen Bonding. Advanced Materials. 31 [42] (2019) 1903721 10.1002/adma.201903721
会議録
- 川津 琢也, NODA, Takeshi, 榊 裕之. Inelastic scattering processes in GaAs/n-AlGaAs selectively doped heterojunctions with InGaAs quantum dots. Physica E. 2003, 425-426
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki. Fabrication of a complex InAs ring-and-dot structure by droplet epitaxy. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 7777-7780
- NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKODA, Kazuaki, SAKAKI, Hiroyuki. Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on (100) GaAs by droplet epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2009, 1836-1838
口頭発表
- HA, Neul, MANO, Takaaki, LIU, Xiangming, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, OHTAKE, Akihiro, CASTELLANO, Andrea, NODA, Takeshi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
- エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 韓 礼元. Analysis of voltage dependence of two-step photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells using rate equations. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
- 野田 武司, 白井 康裕, 宮崎 英樹, 柳田 真利, 宮野 健次郎, 韓 礼元. エリプソメトリーによるペロブスカイト薄膜の屈折率評価. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
特許
- 特許第5268043号 極微小ダイオード及びその製造方法 (2013)
- 特許第5382696号 半導体光素子と半導体太陽電池 (2013)
- 特許第4953045号 金属ナノ粒子埋込み材料の作製法 (2012)
第二期開発予定
第二期開発予定