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論文 TSV

2021
  1. Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy. Crystal Growth & Design. 21 [7] (2021) 3947-3953 10.1021/acs.cgd.1c00276
  2. S. Anghel, A. V. Poshakinskiy, K. Schiller, F. Passmann, C. Ruppert, S. A. Tarasenko, G. Yusa, T. Mano, T. Noda, M. Betz. Anisotropic expansion of drifting spin helices in GaAs quantum wells. Physical Review B. 103 [3] (2021) 035429 10.1103/physrevb.103.035429
2020
  1. Xiao Liu, Tianhao Wu, Jung-Yao Chen, Xiangyue Meng, Xin He, Takeshi Noda, Han Chen, Xudong Yang, Hiroshi Segawa, Yanbo Wang, Liyuan Han. Templated growth of FASnI3 crystals for efficient tin perovskite solar cells. Energy & Environmental Science. 13 [9] (2020) 2896-2902 10.1039/d0ee01845g
  2. Tianhao Wu, Danyu Cui, Xiao Liu, Xiangyue Meng, Yanbo Wang, Takeshi Noda, Hiroshi Segawa, Xudong Yang, Yiqiang Zhang, Liyuan Han. Efficient and Stable Tin Perovskite Solar Cells Enabled by Graded Heterostructure of Light‐Absorbing Layer. Solar RRL. 4 [9] (2020) 2000240 10.1002/solr.202000240
  3. Yudai Miyauchi, Tetsuo Ikari, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Atsuhiko Fukuyama. Effectiveness of AlGaAs barrier layers as a redistribution channel of photoexcited carriers on anomalous temperature dependence of photoluminescence properties of GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics. 128 [5] (2020) 055701 10.1063/5.0011571
  4. Takeshi Noda, Nobuyuki Ishida, Takaaki Mano, Daisuke Fujita. Direct observation of charge accumulation in quantum well solar cells by cross-sectional Kelvin probe force microscopy. Applied Physics Letters. 116 [16] (2020) 163501 10.1063/1.5142438
  5. Xiangyue Meng, Tianhao Wu, Xiao Liu, Xin He, Takeshi Noda, Yanbo Wang, Hiroshi Segawa, Liyuan Han. Highly Reproducible and Efficient FASnI3 Perovskite Solar Cells Fabricated with Volatilizable Reducing Solvent. The Journal of Physical Chemistry Letters. 11 [8] (2020) 2965-2971 10.1021/acs.jpclett.0c00923
  6. S. Anghel, F. Passmann, K. J. Schiller, J. N. Moore, G. Yusa, T. Mano, T. Noda, M. Betz, A. D. Bristow. Spin-locked transport in a two-dimensional electron gas. Physical Review B. 101 [15] (2020) 155414 10.1103/physrevb.101.155414
  7. Xiangyue Meng, Yanbo Wang, Jianbo Lin, Xiao Liu, Xin He, Julien Barbaud, Tianhao Wu, Takeshi Noda, Xudong Yang, Liyuan Han. Surface-Controlled Oriented Growth of FASnI3 Crystals for Efficient Lead-free Perovskite Solar Cells. Joule. 4 [4] (2020) 902-912 10.1016/j.joule.2020.03.007
  8. Xin He, Tianhao Wu, Xiao Liu, Yanbo Wang, Xiangyue Meng, Jihuai Wu, Takeshi Noda, Xudong Yang, Yutaka Moritomo, Hiroshi Segawa, Liyuan Han. Highly efficient tin perovskite solar cells achieved in a wide oxygen concentration range. Journal of Materials Chemistry A. 8 [5] (2020) 2760-2768 10.1039/c9ta13159k
  9. Tianhao Wu, Xiao Liu, Xin He, Yanbo Wang, Xiangyue Meng, Takeshi Noda, Xudong Yang, Liyuan Han. Efficient and stable tin-based perovskite solar cells by introducing π-conjugated Lewis base. Science China Chemistry. 63 [1] (2020) 107-115 10.1007/s11426-019-9653-8
2019
  1. 石田 暢之, ツァイ モーラン, 野田 武司, 藤田 大介, 韓 礼元. オペランド電位計測による電荷分離位置の評価:ペロブスカイト太陽電池への応用. 表面と真空. 62 [1] (2019) 9-14 10.1380/vss.62.9 Open Access
  2. Xiangyue Meng, Jianbo Lin, Xiao Liu, Xin He, Yong Wang, Takeshi Noda, Tianhao Wu, Xudong Yang, Liyuan Han. Highly Stable and Efficient FASnI 3 ‐Based Perovskite Solar Cells by Introducing Hydrogen Bonding. Advanced Materials. 31 [42] (2019) 1903721 10.1002/adma.201903721
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SI] (2019) SIIB05 10.7567/1347-4065/ab0c76
  4. Takaaki Mano, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma. Double-Sided Nonalloyed Ohmic Contacts to Si-doped GaAs for Plasmoelectronic Devices. ACS Omega. 4 [4] (2019) 7300-7307 10.1021/acsomega.8b03260 Open Access
  5. Ryuji Kaneko, Towhid H. Chowdhury, Guohua Wu, Md. Emrul Kayesh, Said Kazaoui, Kosuke Sugawa, Jae-Joon Lee, Takeshi Noda, Ashraful Islam, Joe Otsuki. Cobalt-doped nickel oxide nanoparticles as efficient hole transport materials for low-temperature processed perovskite solar cells. Solar Energy. 181 (2019) 243-250 10.1016/j.solener.2019.01.097
  6. F. Passmann, A. D. Bristow, J. N. Moore, G. Yusa, T. Mano, T. Noda, M. Betz, S. Anghel. Transport of a persistent spin helix drifting transverse to the spin texture. Physical Review B. 99 [12] (2019) 125404 10.1103/physrevb.99.125404
  7. Md. Emrul Kayesh, Kiyoto Matsuishi, Ryuji Kaneko, Said Kazaoui, Jae-Joon Lee, Takeshi Noda, Ashraful Islam. Coadditive Engineering with 5-Ammonium Valeric Acid Iodide for Efficient and Stable Sn Perovskite Solar Cells. ACS Energy Letters. 4 [1] (2019) 278-284 10.1021/acsenergylett.8b02216
2018
  1. T. Swetha, Md. Akhtaruzzaman, Towhid H. Chowdhury, Nowshad Amin, Ashraful Islam, Takeshi Noda, Hari M. Upadhyaya, Surya Prakash Singh. Benzodithiazole‐Based Hole‐Transporting Material for Efficient Perovskite Solar Cells. Asian Journal of Organic Chemistry. 7 [12] (2018) 2497-2503 10.1002/ajoc.201800490
  2. Md. Emrul Kayesh, Kiyoto Matsuishi, Towhid H. Chowdhury, Ryuji Kaneko, Takeshi Noda, Ashraful Islam. Enhanced Photovoltaic Performance of Perovskite Solar Cells by Copper Chloride (CuCl2) as an Additive in Single Solvent Perovskite Precursor. Electronic Materials Letters. 14 [6] (2018) 712-717 10.1007/s13391-018-0075-5
  3. John N. Moore, Hikaru Iwata, Junichiro Hayakawa, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Naokazu Shibata, Go Yusa. Evidence for a correlated phase of skyrmions observed in real space. Physical Review B. 98 [16] (2018) 161402 10.1103/physrevb.98.161402 Open Access
  4. Md. Emrul Kayesh, Kiyoto Matsuishi, Towhid H. Chowdhury, Ryuji Kaneko, Jae-Joon Lee, Takeshi Noda, Ashraful Islam. Influence of anti-solvents on CH3NH3PbI3 films surface morphology for fabricating efficient and stable inverted planar perovskite solar cells. Thin Solid Films. 663 (2018) 105-115 10.1016/j.tsf.2018.08.015
  5. Towhid H. Chowdhury, Md. Akhtaruzzaman, Md. Emrul Kayesh, Ryuji Kaneko, Takeshi Noda, Jae-Joon Lee, Ashraful Islam. Low temperature processed inverted planar perovskite solar cells by r-GO/CuSCN hole-transport bilayer with improved stability. Solar Energy. 171 (2018) 652-657 10.1016/j.solener.2018.07.022
  6. Takeshi Noda, Martin Elborg, Takaaki Mano, Takuya Kawazu, ELBORG, Martin, MANO, Takaaki, KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi. Dynamical properties and charge accumulation in solar cells with embedded GaSb quantum dots. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [8S3] (2018) 08RF10
  7. NODA, Takeshi. Dynamical properties and charge accumulation in solar cells with embedded GaSb quantum dots. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [8S3] (2018) 08RF10 10.7567/jjap.57.08rf10
  8. Md. Emrul Kayesh, Towhid H. Chowdhury, Kiyoto Matsuishi, Ryuji Kaneko, Said Kazaoui, Jae-Joon Lee, Takeshi Noda, Ashraful Islam. Enhanced Photovoltaic Performance of FASnI3-Based Perovskite Solar Cells with Hydrazinium Chloride Coadditive. ACS Energy Letters. 3 [7] (2018) 1584-1589 10.1021/acsenergylett.8b00645
  9. Dhruba B. Khadka, Yasuhiro Shirai, Masatoshi Yanagida, Takeshi Noda, Kenjiro Miyano. Tailoring the Open-Circuit Voltage Deficit of Wide-Band-Gap Perovskite Solar Cells Using Alkyl Chain-Substituted Fullerene Derivatives. ACS Applied Materials & Interfaces. 10 [26] (2018) 22074-22082 10.1021/acsami.8b04439
  10. Martin Elborg, Yuanzhao Yao, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Raman Bekarevich, Kazutaka Mitsuishi. Carrier Transfer in Closely Stacked GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Using Droplet Epitaxy. Journal of the Korean Physical Society. 72 [11] (2018) 1356-1363 10.3938/jkps.72.1356
  11. S. Anghel, F. Passmann, A. Singh, C. Ruppert, A. V. Poshakinskiy, S. A. Tarasenko, J. N. Moore, G. Yusa, T. Mano, T. Noda, X. Li, A. D. Bristow, M. Betz. Field control of anisotropic spin transport and spin helix dynamics in a modulation-doped GaAs quantum well. Physical Review B. 97 [12] (2018) 125410 10.1103/physrevb.97.125410
  12. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma. Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor. Applied Physics Letters. 112 [7] (2018) 072101 10.1063/1.5010845
  13. Masahiro Matsuura, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Naokazu Shibata, Masahiro Hotta, Go Yusa. Transmission and reflection of charge-density wave packets in a quantum Hall edge controlled by a metal gate. Applied Physics Letters. 112 [6] (2018) 063104 10.1063/1.5009373 Open Access
  14. Molang Cai, Nobuyuki Ishida, Xing Li, Xudong Yang, Takeshi Noda, Yongzhen Wu, Fengxian Xie, Hiroyoshi Naito, Daisuke Fujita, Liyuan Han. Control of Electrical Potential Distribution for High-Performance Perovskite Solar Cells. Joule. 2 [2] (2018) 296-306 10.1016/j.joule.2017.11.015
2016
  1. John N. Moore, Junichiro Hayakawa, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Go Yusa. Hyperfine-controlled domain-wall motion observed in real space and time. Physical Review B. 94 [20] (2016) 201408 10.1103/physrevb.94.201408 Open Access
  2. Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda. Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer. Crystal Growth & Design. 16 [9] (2016) 5412-5417 10.1021/acs.cgd.6b00899
  3. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Effects of Ga deposition rate and Sb flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. physica status solidi (c). (2016) 10.1002/pssc.201600109
  4. ELBORG, Martin. Optical transitions in GaNAs quantum wells with variable nitrogen content embedded in AlGaAs. AIP Advances. 6 [6] (2016) 065208 10.1063/1.4953894 Open Access
  5. M. Elborg, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma. Optical transitions in GaNAs quantum wells with variable nitrogen content embedded in AlGaAs. AIP Advances. 6 [6] (2016) 065208
  6. Kazuya Sugimura, Masato Ohmori, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, Hiroyuki Sakaki. InGaAs triangular barrier photodiodes for high-responsivity detection of near-infrared light. Applied Physics Express. 9 [6] (2016) 062101 10.7567/apex.9.062101
  7. Pavel Vitushinskiy, Masato Ohmori, Tomohiro Kuroda, Takeshi Noda, Takuya Kawazu, Hiroyuki Sakaki. GaAs-based triangular barrier photodiodes with embedded type-II GaSb quantum dots. Applied Physics Express. 9 [5] (2016) 052002 10.7567/apex.9.052002
  8. T. Kawazu, T. Noda, Y. Sakuma, H. Sakaki. Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy. AIP Advances. 6 [4] (2016) 045312 10.1063/1.4947464 Open Access
  9. T. Noda, M. Elborg, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki. Bias voltage dependence of two-step photocurrent in GaAs/AlGaAs quantum well solar cells. Journal of Applied Physics. 119 [8] (2016) 085105 10.1063/1.4942215
2015
  1. Tomoyoshi Kushida, Masato Ohmori, Shota Osanai, Daisuke Kawamoto, Takeshi Noda, Hiroyuki Sakaki. Electrical Characteristics of AlGaAs/GaAs Heterostructures With a Pair of 2-D Electron and Hole Channels. IEEE Transactions on Electron Devices. 62 [11] (2015) 3619-3626 10.1109/ted.2015.2474735
  2. Nobuyuki Ishida, Masafumi Jo, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Takeshi Noda, Daisuke Fujita. Direct visualization of the N impurity state in dilute GaNAs using scanning tunneling microscopy. Nanoscale. 7 [40] (2015) 16773-16780 10.1039/c5nr04193g
  3. Youfeng Yue, Xudong Yang, Yongzhen Wu, Noviana Tjitra Salim, Ashraful Islam, Takeshi Noda, Liyuan Han. Selective Deposition of Insulating Metal Oxide in Perovskite Solar Cells with Enhanced Device Performance. ChemSusChem. 8 [16] (2015) 2625-2629 10.1002/cssc.201500518
  4. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth and optical properties of GaSb/GaAs type-II quantum dots with and without wetting layer. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH01 10.7567/jjap.54.04dh01
  5. Neul Ha, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxy growth of telecom InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs(111)A. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DH07 10.7567/jjap.54.04dh07
  6. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda, Liyuan Han. Voltage dependence of two-step photocurrent generation in quantum dot intermediate band solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 134 (2015) 108-113 10.1016/j.solmat.2014.11.038
  7. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Lateral current generation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels by Schottky-barrier gate illumination. Applied Physics Letters. 106 [2] (2015) 022103 10.1063/1.4905661
2014
  1. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb and AlSb quantum dots on high-index GaAs substrates. Applied Physics Express. 7 [5] (2014) 055502 10.7567/apex.7.055502
  2. Neul Ha, Xiangming Liu, Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Kazutaka Mitsuishi, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Droplet epitaxial growth of highly symmetric quantum dots emitting at telecommunication wavelengths on InP(111)A. Applied Physics Letters. 104 [14] (2014) 143106 10.1063/1.4870839
  3. T. Noda, L. M. Otto, M. Elborg, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, L. Han, H. Sakaki. GaAs/AlGaAs quantum wells with indirect-gap AlGaAs barriers for solar cell applications. Applied Physics Letters. 104 [12] (2014) 122102 10.1063/1.4869148
2013
  1. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 475-479 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.020
  2. T. Noda, M. Jo, T. Mano, T. Kawazu, H. Sakaki. Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 529-531 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.036
  3. Martin Elborg, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Masafumi Jo, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. Journal of Crystal Growth. 378 (2013) 53-56 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.155
  4. M. Jo, Y. Ding, T. Noda, T. Mano, Y. Sakuma, K. Sakoda, L. Han, H. Sakaki. Impacts of ambipolar carrier escape on current-voltage characteristics in a type-I quantum-well solar cell. Applied Physics Letters. 103 [6] (2013) 061118 10.1063/1.4818510
  5. Takuya Kawazu, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction channels driven by local illumination at the edge regions of Hall bar. Applied Physics Letters. 102 [25] (2013) 252104 10.1063/1.4812293
2011
  1. Takuya Kawazu, Yoshihiro Akiyama, Takeshi Noda, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma, Hiroyuki Sakaki. Optical anisotropy of GaSb type-II nanorods on vicinal (111)B GaAs. Applied Physics Letters. 99 [23] (2011) 231901 10.1063/1.3665394
  2. Takaaki Mano, Masafumi Jo, Kazutaka Mitsuishi, Martin Elborg, Yoshimasa Sugimoto, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda. Fabrication of GaNAs/AlGaAs Heterostructures with Large Band Offset Using Periodic Growth Interruption. Applied Physics Express. 4 [12] (2011) 125001 10.1143/apex.4.125001
  3. J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru, P. M. Koenraad. Shape control of quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy. Journal of Applied Physics. 109 [10] (2011) 102413 10.1063/1.3577960 Open Access
  4. J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru. Shape Control of QDs Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy. Journal of the Korean Physical Society. 58 [5(1)] (2011) 1244-1250 10.3938/jkps.58.1244 Open Access
  5. J. G. Keizer, M. Jo, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, P. M. Koenraad. Structural atomic-scale analysis of GaAs/AlGaAs quantum wires and quantum dots grown by droplet epitaxy on a (311)A substrate. Applied Physics Letters. 98 [19] (2011) 193112 10.1063/1.3589965 Open Access
  6. Takeshi Noda, Takaaki Mano, Hiroyuki Sakaki. Anisotropic Diffusion of In Atoms from an In Droplet and Formation of Elliptically Shaped InAs Quantum Dot Clusters on (100) GaAs. Crystal Growth & Design. 11 [3] (2011) 726-728 10.1021/cg101210d
2010
  1. T. KAWAZU, T. NODA, T. MANO, M. JO, H. SAKAKI. Effects of antimony flux on morphology and photoluminescence spectra of GaSb quantum dots formed on GaAs by droplet epitaxy. Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials. 19 [04] (2010) 819-826 10.1142/s0218863510005777
  2. T. NODA, T. MANO, M. ELBORG, K. MITSUISHI, K. SAKODA. Fabrication and characterization of a stacked GaAs quantum dot structure for application to solar cells. Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials. 19 [04] (2010) 681-686 10.1142/s0218863510005583
  3. Vaishali R. Shinde, Tanaji P. Gujar, Takeshi Noda, Daisuke Fujita, Ajayan Vinu, Mathieu Grandcolas, Jinhua Ye. Growth of Shape- and Size-Selective Zinc Oxide Nanorods by a Microwave-Assisted Chemical Bath Deposition Method: Effect on Photocatalysis Properties. Chemistry - A European Journal. 16 [34] (2010) 10569-10575 10.1002/chem.200903370
  4. T. Kawazu, T. Mano, T. Noda, H. Sakaki. Thermal annealing of GaSb quantum dots in GaAs formed by droplet epitaxy. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 42 [10] (2010) 2742-2744 10.1016/j.physe.2010.01.038
  5. J. G. Keizer, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda. Atomic scale analysis of self assembled GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. Applied Physics Letters. 96 [6] (2010) 062101 10.1063/1.3303979 Open Access
2009
  1. Vaishali R. Shinde, Tanaji P. Gujar, Takeshi Noda, Daisuke Fujita, Chandrakant D. Lokhande, Oh-Shim Joo. Ultralong Cadmium Chalcogenide Nanotubes from One-Dimensional Cadmium Hydroxide Nanowire Bundles by Soft Solution Chemistry. The Journal of Physical Chemistry C. 113 [32] (2009) 14179-14183 10.1021/jp904480v
  2. Takuya Kawazu, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Hiroyuki Sakaki. Two Different Growth Modes of GaSb dots on GaAs (100) by Droplet Epitaxy. Journal of Crystal Growth. 311 [8] (2009) 2255-2257 10.1016/j.jcrysgro.2009.02.005
  3. MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, NODA, Takeshi, SAKODA, Kazuaki. Ordering of GaAs quantum dots by droplet epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. (2009) 729-732
  4. KAWAZU, Takuya, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, AKIYAMA, Yoshihiro, SAKAKI, Hiroyuki. Growth of GaSb dots on GaAs (100) by droplet epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. (2009) 733-735
  5. MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, MITSUISHI, Kazutaka, NODA, Takeshi, SAKODA, Kazuaki. High-density GaAs/AlGaAs quantum dots formed on GaAs (311)A substrates by droplet epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. (2009) 1828-1831
  6. NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, SAKODA, Kazuaki, SAKAKI, Hiroyuki. Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on (100) GaAs by droplet epitaxy. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. (2009) 1836-1838
  7. Takuya Kawazu, Takaaki Mano, Takeshi Noda, Hiroyuki Sakaki. Optical properties of GaSb/GaAs type-ІІ quantum dots grown by droplet epitaxy. Applied Physics Letters. 94 [8] (2009) 081911 10.1063/1.3090033
2006
  1. MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, YAMAGIWA, MASAKAZU, KOGUCHI, Nobuyuki. Coupled quantum nanostructures formed by droplet epitaxy. THIN SOLID FILMS. (2006) 531-534
  2. NODA, Takeshi, KOGUCHI, Nobuyuki. Current-voltage characteristics in double-barrier resonant tunneling diodes with embedded GaAs quantum rings. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. (2006) 550-553
  3. KURODA, Takashi, MANO, Takaaki, OCHIAI, Tetsuyuki, Stefano, Sanguinetti, NODA, Takeshi, KURODA, Keiji, SAKODA, Kazuaki, KIDO, Giyuu, KOGUCHI, Nobuyuki. Excitonic transitions in semiconductor concentric quantum double-rings. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. (2006) 46-48
  4. NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, KOGUCHI, Nobuyuki. Fabrication of Al nanoparticles and their electrical properties studied by capacitance-voltage measurements. APPLIED SURFACE SCIENCE. (2006) 5408-5410
2005
  1. NODA, Takeshi, 角田直人, 小柴俊, 西岡佐和子, 根木泰義, 奥西栄治, 秋山芳広, 榊裕之. STEM Studies of MBE Grown Corrugated Structures of (757)B Substrate. Journal of Crystal Growth. (2005) 569-574
  2. Takaaki Mano, Takashi Kuroda, Stefano Sanguinetti, Tetsuyuki Ochiai, Takahiro Tateno, Jongsu Kim, Takeshi Noda, Mitsuo Kawabe, Kazuaki Sakoda, Giyuu Kido, Nobuyuki Koguchi. Self-Assembly of Concentric Quantum Double Rings. Nano Letters. 5 [3] (2005) 425-428 10.1021/nl048192+

書籍 TSV

会議録 TSV

2011
  1. Masahiro Shiraga, Yuko Nakai, Tomohiko Hirashima, Akinobu Kittaka, Mari Ebisu, Naoshi Takahashi, Takeshi Noda, Masato Ohmori, Hidefumi Akiyama, Noriaki Tsurumachi, Shunsuke Nakanishi, Hayato Miyagawa, Hiroshi Itoh, Shyun Koshiba. Effects of Mg doping on Optical and Electrical Properties of GaNAs Multiple Quantum Wells. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2011) 420-422 10.1002/pssc.201000595
  2. T. Noda, K. Mitsuishi, T. Mano, Jisoon Ihm, Hyeonsik Cheong. Effect of thermal annealing on C-V characteristics of GaAs Schotky diodes embedded Al particles. PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. (2011) 10.1063/1.3666411
  3. Takeshi Noda, Takaaki Mano, Kazuaki Sakoda, Hiroyuki Sakaki. Photocurrent characteristics in p-i-n diodes embedded coupled or uncoupled multi-quantum wells. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2011) 349-351 10.1002/pssc.201000544
  4. KAWAZU, Takuya, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, Masato Ohmori, Yoshihiro Akiyama, SAKAKI, Hiroyuki. Growth of GaSb and InSb quantum dots on GaAs (311)A by droplet epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2011) 275-277
  5. Takaaki Mano, Takeshi Noda, Takashi Kuroda, Stefano Sanguinetti, Kazuaki Sakoda. Self-Assembled GaAs Quantum Dots Coupled with GaAs Wetting Layer Grown by Droplet Epitaxy. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2011) 257-259 10.1002/pssc.201000431
2005
  1. MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, NODA, Takeshi, KIMJON, GSU, SAKODA, Kazuaki, KIDO, Giyuu, KOGUCHI, Nobuyuki. Quantum ring complexes grown by droplet epitaxy. Proceedings of The 6th International Conference on Intelligent Materials and Systems. (2005) 13-16
  2. 秋山芳広, 川津琢也, NODA, Takeshi, 小柴俊, 鳥井康介, 榊裕之. MBE growth of AlGaAs/InGaAs/GaAs planar superlattice on vicinal (111)B GaAs and their transport properties. The Journal of Vacuum Science and Technology B. (2005) 1162-1165

口頭発表 TSV

2020
  1. 中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. GaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響. 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2020
  2. NODA, Takeshi, MANO, Takaaki. THREE-TERMINAL SOLAR CELLS WITH EMBEDDED QUANTUM WELLS. The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) & Global Photovoltaic Conference 2020 (GPVC 2020). 2020
  3. 野田 武司, 間野 高明. 液滴エピタキシーで作製した近接積層GaAs量子ドットと太陽電池応用. 2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  4. 宮内 雄大, 川畑 公佑, 中村 泰樹, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. 液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響. 2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  5. 神山晃範, 松浦雅広, John N. Moore, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐剛. 分数量子ホールエッジ状態の実空間・実時間観察. 日本物理学会 2020年秋季大会. 2020
2019
  1. NODA, Takeshi. Design and fabrication of high efficiency solar cells- tandem and quantum dot solar cells. 上海交通大学での研究会. 2019 招待講演
  2. ISHIDA, Nobuyuki, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, Charge accumulation in quantum well solar cells studied by cross-sectional Kelvin probe force microscopy . PVSEC-29. 2019
  3. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAs/InP(111)A量子ドットの自己形成における高温結晶化過程の導入. 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  4. 松浦 雅広, 神山 晃範, Moore John, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐;剛. 時間分解顕微分光法を用いた量子ホール系における荷電励起子ダイナミクスの研究. 日本物理学会 2019年秋季大会. 2019
  5. S. Anghel, F. Passmann, A. D. Bristow, J. N. Moore, G. Yusa, MANO, Takaaki, NODA, Takeshi, M. Betz. Toransport of a Persistent Spin Helix Transverse to the Spin Texture in a Modulation-Doped GaAs Quantum Well. The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures. 2019
  6. KAWAZU, Takuya, SAKUMA, Yoshiki, NODA, Takeshi, Enhancement of infrared photo-responses of the Schottky gate region of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction FET by a second light illumination. Compound Semiconductor Week 2019 (The 46th International Symposium on Compound Semiconductor). 2019
  7. 川津 琢也, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
2018
  1. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAs/AlGaAsダブルヘテロ電界効果トランジスタのゲート端局所照射におけるショットキー光電流の温度依存性. ACSIN-14. 2018
  2. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製した InGaAs量子細線列の光学異方性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  4. 間野 高明, 宮崎 英樹, 笠谷 岳士, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Nonalloyed Ohmic Contacts to Buried n-GaAs Appearing After Reversed Wafer Transfer Process. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2018
  5. 白井 康裕, カダカ ビ ドゥラバ, 柳田 真利, 野田 武司, 新倉 ちさと, 宮野 健次郎. Development of wide bandgap perovskite solar cells with Voc over 1.2 V for perovskite-silicon tandem applications. 2018 MRS spring meeting. 2018
  6. 間野 高明, 宮崎 英樹, 笠谷 岳士, 野田 武司, 佐久間 芳樹. メタ表面赤外線検出器のためのn-GaAsへのノンアロイオーミック接合. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  7. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作. 第65回応用物理学会春季学術講演会 . 2018
  8. ツァイ モーラン, 石田 暢之, 韓 礼元, 野田 武司. Electrical Potential Distribution for High Performance Perovskite Solar Cells. Asia-Pacific International Conference on Perovskite 2018. 2018
  9. 野田 武司. 量子構造太陽電池におけるキャリアダイナミクス. 量子ナノ材料セミナー 2018. 2018 招待講演
2017
  1. J. N. Moore, J. Hayakawa, H. Iwata, 間野 高明, 野田 武司, G. Yusa. First-order phase transition of quantum Hall skyrmions observed by photoluminescence microscopy. International School and Symposium on Nanoscale Transport. 2017
  2. 野田 武司, エルボルグ マーティン, 間野 高明, 川津 琢也. CHARACTERIZATION OF GASB QUANTUM DOT SOLAR CELLS BY CA-PACITANCE MEASURMENETS. The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference. 2017
  3. ELBORG, Martin, SAKUMA, Yoshiki, NODA, Takeshi. Capacitance-voltage and current-voltage characterization to determine carrier concentrations in Quantum Dot embedded solar cells. 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference. 2017
  4. J. N. Moore, J. Hayakawa, H. Iwata, 間野 高明, 野田 武司, G. Yusa. Anomalous transition of quantum Hall skyrmions observed by Photoluminescence microscopy. 日本物理学会2017年秋季大会. 2017
  5. J. N. Moore, J. Hayakawa, H. Iwata, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. Anomalous Quantum Hall Skyrmion Transition with Long-Range Ordering. International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017. 2017
  6. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタの ショットキーゲート端照射による光電流生成. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  7. エルボルグ マーティン, 姚 遠昭, 野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Coupled GaAs/AlGaAs quantum Ring+Dot structures by Multiple Droplet Epitaxy. Moscow State University - NIMS workshop. 2017
  8. J. N. Moore, J. Hayakawa, H. Iwata, 間野 高明, 野田 武司, G. Yusa. Photoluminescence Investigation of a Quantum Hall Skyrmion Transition. Joint Conference: EP2DS-22 / MSS-18. 2017
  9. Sergiu Anghel, 遊佐 剛, Felix Passmann, Akshay Singh, Nick Moore, MANO, Takaaki, Liqin Li, NODA, Takeshi, Markus Betz. Gate Control of the Spin-Orbit Coupling in a Modulation-Doped GaAs Quantum Well. EDISON’20-The 20th International Conference on Electron. 2017
  10. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆, 姚 遠昭, 佐久間 芳樹. Luminescence characteristics of coupled GaAs/AlGaAs quantum ring+dot structure under applied electric field . Compound Semiconductor Week 2017. 2017
  11. 白井 康裕, 柳田 真利, 野田 武司, 韓 礼元, 宮野 健次郎. Development of Semi-Transparent Perovskite Solar Cells for Tandem Applications. 2017 MRS spring meeting. 2017
  12. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Capacitance spectroscopy on quantum hetero structure embedded Intermediate Band Solar Cells. MANA International Symposium 2017. 2017
2016
  1. 野田 武司. ペロブスカイト薄膜の光学特性と太陽電池応用」. 第12回 量子ナノ材料セミナー. 2016 招待講演
  2. 野田 武司, 韓 礼元. Efficient and stable large-area perovskite solar cells. Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26). 2016
  3. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Photo-induced current in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor driven by local illumination at edge regions of Schottky metal gate. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2016
  4. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Ga堆積速度およびSb分子線圧のGaSb量子ドット形成への影響. 第77回応用物理学会秋季学術講演会 . 2016
  5. 野田 武司, 白井 康裕, 宮崎 英樹, 柳田 真利, 宮野 健次郎, 韓 礼元. エリプソメトリーによるペロブスカイト薄膜の屈折率評価. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  6. 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰. InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  7. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 黒田 隆, 姚 永昭, 佐久間 芳樹. Growth and optical properties of quantum ring-dot molecules grown by Multiple-Droplet Epitaxy process. 19th International Conference on Molecular Beam Ep. 2016
  8. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. 断面STMによるGaAs中窒素不純物の直接可視化. IVC20 第20回 国際真空学術会議・展示会. 2016
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. Effects of Ga deposition rate and antimony flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs. The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor. 2016
  10. 野田 武司, エルボルグ マーティン. Electrical characterization of solar cells with embedded nanostructures. Energy Materials Nanotechnology (EMN) Prague Meeting. 2016 招待講演
  11. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 姚 永昭, 佐久間 芳樹. Droplet epitaxy quantum dots in ultra-high efficiency solar cells. 9th International Conference on Quantum Dots. 2016 招待講演
  12. J.N.Moore, J.Hayakawa, 間野 高明, 野田 武司, G. Yusa. Real-space and real-time imaging of non-equilibrium fractional quantum Hall liquid dynamics. 日本物理学会 年次・春季大会. 2016
  13. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイIIナノロッドの光学異方性. 第63回応用物理学会春季学術講演会 . 2016
  14. J. Nichols Moore, 早川 純一朗, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. Real-time dynamics of a topologically-protected excitation of the fractional quantum Hall effect studied by photoluminescence microscopy. 日本物理学会 第71回年次大会. 2016
  15. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Growth of Coupled Quantum Dot-Ring structures by Multiple-Droplet Epitaxy Process. MANA International Symposium 2016. 2016
  16. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. 断面STMによるGaAs中窒素不純物の直接可視化. ISPlasma2016/IC-PLANTS2016. 2016
2015
  1. J. Nichols Moore, 早川 純一朗, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. 実空間観察でみる分数量子ホール状態のトポロジカル構造. 新学術領域研究「トポロジカル物質科学」. 2015
  2. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Dependence of open-circuit voltage in GaNAs/AlGaAs quantum structure solar cells on N concentration. 25th International Photovoltaic Science and Engineering Confere. 2015
  3. J. M. Moore, 早川純一朗, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. Nuclear polarization in a topological excited state of the fractional quantum Hall effect. International Workshop : Quantum Nanostructures and Electron-Nuc. 2015
  4. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹. Droplet Epitaxy GaAs/AlGaAs Quantum Dot Embedded Solar Cells with Enhanced Sub-Band Gap Light Absorption. German MBE-Workshop 2015. 2015
  5. J.Nicholas Moore, Junichiro Hayakawa, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. A new topological state of the fractional quantum Hall effect imaged by spin-sensitive photoluminescence microscopy . 日本物理学会秋季大会. 2015
  6. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Probing carrier transport by surface excitation of GaNAs/GaAs quantum structure embedded solar cells with zero valance band offset. European PV Solar Energy Conference. 2015
  7. 本間 心人, 日暮 優, 伊藤 宙陛, 津村 公平, 定 昌史, 野田 武司, 高柳 英明. 自己形成量子ナノリングを介した超伝導接合の輸送特性. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  8. 杉村和哉, 大森雅人O, 野田 武司, Pavel Vitushinskiy, 岩田直高, 榊裕之. 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  9. 間野 高明, 黒田 隆, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  10. 大森雅人O, 野田 武司, 小嶋 友也, 杉村 和哉, Pavel Vitushinskiy, 榊裕之. InP(100)基板上におけるInAs/InAlGaAs量子ロッド構造の形成. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  11. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネルの面内電流生成. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  12. 野田 武司, エルボルグ マーティン, 間野 高明, 川津 琢也, 韓 礼元, 榊 裕之. Characterization of GaSb/GaAs quantum dot solar cells with deep energy states. EP2DS-21/MSS-17. 2015
  13. J. Moore, 早川純一郎, 間野 高明, 野田 武司, 遊佐 剛. Magnetic Resonance Imaging of Dynamic Nuclear Polarization in the Fractional Quantum Hall Effect Breakdown Regime. Joint conference EP2DS-21/MSS-17. 2015
  14. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Prospects for high efficiency Intermediate Band Solar Cells using dilute nitride III-V semiconductors. International Seminar on Renewable Energy and Sustainable Develo. 2015
  15. 野田 武司, エルボルグ マーティン, 間野 高明. Two-step photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum structure solar cells. EMN EAST Meeting Energy Materials Nanotechnology. 2015 招待講演
  16. 大森 雅登, 杉村 和哉, 小嶋 友也, 加戸 作成, 野田 武司, Pavel Vitushinskiy, 岩田 直高, 榊 裕之. 三角障壁フォトトランジスタによる高感度赤外検出. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  17. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 韓 礼元. GaNAs quantum structures embedded in GaAs p-i-n for Intermediate Band Solar Cell. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  18. 川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaSb/GaAs量子ドットの光学異方性における後熱処理の効果. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  19. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 佐久間 芳樹. Open-circuit voltage recovery in dilute-N GaAs/AlGaAs quantum structure solar cells. MANA International Symposium 2015. 2015
2014
  1. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. 22nd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy. 2014
  2. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKODA, Kazuaki, HAN, Liyuan. GaNAs/GaAs Quantum Well Intermediate Band Solar Cell with zero valance band offset. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6). 2014
  3. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, BOWMAN, Arthur, KAWAZU, Takuya, MANO, Takaaki, HAN, Liyuan, SAKAKI, Hiroyuki. Characterization and solar cell application of GaSb/AlGaAs quantum dots. 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6). 2014
  4. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. The 7th International Symposium on Surface Science. 2014
  5. 石田 暢之, 定昌史, 間野 高明, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 藤田 大介. STMによるGaAs中N不純物準位の直接可視化. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  6. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 高指数面GaAs基板上のGaSbおよびAlSb量子ドットの成長. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  7. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 韓 礼元. Analysis of voltage dependence of two-step photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells using rate equations. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  8. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  9. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製. 第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014
  10. 日暮優, 本間心人, 伊藤 宙陛, 津村 公平, 野田 武司, 高柳 英明. 自己形成InAsナノリングを介した超伝導接合における高周波特性. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  11. ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxial growth of 1.55 um wavelength InAs quantum dots on metamorphic InAlAs/GaAs (111)A. 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 2014
  12. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 濡れ層を持つまたは持たないGaSb/GaAs type-II 量子ドットの作製と光学特性. SSDM2014. 2014
  13. 石田 暢之, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 韓 礼元, 藤田 大介. 断面KPFMによる多重量子井戸太陽電池中のポテンシャル分布計測. Non-contact atomic force microscopy 2014. 2014
  14. 間野 高明, 大竹 晃浩, 黒田 隆, ハ ヌル, 劉 祥明, 三石 和貴, 萩原敦, 中村淳, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100) . 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures. 2014 招待講演
  15. 間野 高明, ハ ヌル, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 野田 武司, カステラーノ アンドレア, ステファノサングイネッティ, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs quantum dots formed on InP(111)A by droplet epitaxy. 8th International conference on Quantum Dots. 2014
  16. 野田 武司. InAs nanoscale rings and dots on InP substrates grown by droplet epitaxy. 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures - d. 2014 招待講演
  17. 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  18. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 韓 礼元. GaNAs/AlGaAs with Close-to-Ideal Absorption Energies for Intermediate Band Solar Cell Application. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  19. 野田 武司, 間野 高明, エルボルグ マーティン, 川津 琢也, 韓 礼元, 榊 裕之. 量子井戸太陽電池を用いた二段階光吸収によるフォトカレント生成. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  20. ハ ヌル, 劉 祥明, 間野 高明, 黒田 隆, 三石 和貴, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドットの作製とその1.3μm 及び 1.55μm帯発光. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  21. 榊 裕之, 大森, 野田 武司, 川津 琢也, 間野 高明. Recent Progress in Self-Organized Growth of Quantum Dot and Wire Structures . TNT Japan2014. 2014 招待講演
2012
  1. 定 昌史, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Droplet epitaxy in lattice-mismatched systems. Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG). 2012 招待講演
  2. 野田 武司. Current-Voltage Characteristics of GaAs/AlGaAs Coupled Quantum Well Solar Cells. 4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells. 2012 招待講演
  3. NODA, Takeshi. hysteresis in the Current-Voltage Characteristics of GaAs/AlGaAs coupled quantum well solar cells. Photovoltaic Science and Engineering Conference. 2012
  4. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. Self-assembly of Ga droplets attached to GaAs quantum dots. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  5. 野田 武司, 定 昌史, 間野 高明, 川津 琢也, 榊 裕之. Fabrication of InAs nanoscale rings by droplet epitaxy. 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2012
  6. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長. International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012). 2012
  7. ELBORG, Martin, YAO, Yuanzhao, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, SAKUMA, Yoshiki, SAKODA, Kazuaki. Vertical coupling of GaAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  8. 間野 高明, 黒田 隆, 定 昌史, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法により作製したGaAs量子ドット形状の液滴サイズ依存性. 第73回応用物理学学術講演会. 2012
  9. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長. 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  10. 野田 武司. AlGaAs/GaAs 超格子太陽電池. 高効率ナノエピタキシャル太陽電池の最先端. 2012 招待講演
  11. 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 川津 琢也, 丁 毅, 榊 裕之. 液滴エピタキシーで形成したInAsリング状ナノ構造の光学特性. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  12. DING, Yi, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, HAN, Liyuan, SAKAKI, Hiroyuki. Wavelength dependence of photo I-V in p-i-n diode containing coupled multiple quantum. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  13. 川津 琢也, 秋山 芳弘, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプⅡナノロッドの自己形成. 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
  14. ELBORG, Martin, JO, Masafumi, DING, Yi, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKODA, Kazuaki. Bias dependence of two-step photocurrent generation in GaNAs/AlGaAs quantum well solar cell. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  15. 間野 高明, 定 昌史, 三石 和貴, 黒田 隆, エルボルグ マーティン, 野田 武司, 杉本 喜正, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 周期的成長中断を用いたGaNAs三次元島状構造の作製. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. NODA, Takeshi. Anomalous Capacitance–Voltage Characteristics of GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well Solar Cells. 21st Int. Photovoltaic Science and Engineering Conference. 2011
  2. 丁 毅, 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 迫田 和彰, 韓 礼元, 榊 裕之. Current–Voltage Characteristics of GaAs/AlGaAs Coupled Multiple Quantum Well Solar Cells. 21st Int. Photovoltaic Science and Engineering Conference. 2011
  3. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 迫田 和彰. Fabrication of GaNAs/AlGaAs quantum well solar cells. 第24回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2011). 2011
  4. 金 鮮美, 神尾充弥, 井上 亮太郎, 矢吹紘久, 野田 武司, 定 昌史, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. 自己形成InAs量子リングにおける量子干渉. 2011年秋季物理学会. 2011
  5. 間野 高明, 野田 武司, 川津 琢也. 液滴エピタキシー法による様々なナノ構造の自己形成. 第7回量子ナノ材料セミナー. 2011 招待講演
  6. 野田 武司, 定 昌史, 間野 高明. Structural characterization of InAs nanostructure grown on InGaAs/InAlAs by droplet epitaxy. SemiconNano 2011. 2011
  7. 神尾 充弥, 金 鮮美, 井上 亮太郎, 矢吹 紘久, 定 昌史, 野田 武司, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 高柳 英明. 自己形成InAs量子リング素子における微分コンダクタンスの磁場依存性. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  8. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果. 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  9. 野田 武司, 間野 高明, 定 昌史, 川津 琢也, 丁 毅, 韓 礼元, 榊 裕之. GaAs/AlGaAs 多重量子井戸太陽電池のCV特性. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  10. DING, Yi, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, SAKODA, Kazuaki, SAKAKI, Hiroyuki. Temperature dependence of I-V characteristics under well excitation in multiple quantum well solar cells. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  11. ELBORG, Martin, NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, JO, Masafumi, DING, Yi, SAKODA, Kazuaki. Fabication of closely-stacked GaAs/AlGaAs quantum dots with high uniformity by droplet epitaxy. 第72回応用物理学科学術講演会. 2011
  12. 間野 高明, 定 昌史, 黒田 隆, エルボルグ マーティン, 野田 武司, 杉本 喜正, 迫田 和彰. 窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御. 第58回応用物理学関係連合講演会. 2011
  13. エルボルグ マーティン, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰. Two color photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells. 第58回応用物理学関係連合講演会. 2011
  14. 丁 毅, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. Laser power dependence of I-V characteristics in solar cells with embedded multiple quantum wells. 第58回 応用物理学関係連合講演会. 2011
  15. シンディ バイシャリ ラムチャンドラ, 野田 武司, 藤田 大介, イスラム アシュラフル, 韓 礼元. Quantum dot sensitized solar cells. MANA International Symposium 2011. 2011
2010
  1. 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. 液滴エピタキシーによるInGaAs/InP上InAs リング構造の作製. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  2. 秋山 芳広, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. 自己形成InGaAsドット列における異方的な持続性光電流. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  3. 丁 毅, 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. 多重量子井戸構造を有するpin ダイオードにおける光電流の温度・構造依存性. 2010年 秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  4. NODA, Takeshi, MANO, Takaaki, MITSUISHI, Kazutaka, SAKODA, Kazuaki, SAKAKI, Hiroyuki. Fabrication of InAs ring structure on InGaAs/InP by droplet epitaxy. 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE 2010). 2010
  5. シンディ バイシャリ ラムチャンドラ, 野田 武司, 藤田 大介. MESOPOROUS ZNO RODS BY SOLUTION METHOD FOR PHOTOCATALYSIS. IPS-18. 2010
  6. NODA, Takeshi. Effect of thermal annealing on C-V characteristics of GaAs Schotky diodes embedded Al particles. ICPS-30. 2010
  7. ジョリス カイザー, ボッケル, ポール コーンラート, 間野 高明, 野田 武司, 迫田 和彰. Atomic scale analysis of self assembled GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. 2010
  8. 間野 高明, 黒田 隆, 野田 武司, 迫田 和彰. Self-Assembly of GaAs Quantum Dots on (n11) (n=0, 1, 3) Substrates by Droplet Epitaxy. 8th ESPS-NIS. 2010 招待講演
  9. NODA, Takeshi. Photocurrent characteristics in p-i-n diodes embedded coupled or uncoupled multi-quantum wells. The 37th International Symposium on Compound Semiconductors. 2010
  10. NODA, Takeshi. Fabrication and characterization of a stacked GaAs quantum dot structure for application to solar cells. The International Conference on Nanophotonics 2010. 2010
  11. ジョリスカイザー, ボッケル, ポール コーンラート, 間野 高明, 野田 武司, 迫田 和彰. Atomic scale analysis of self assembled GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. The 6th International Conference on Quantum Dots. 2010
  12. 寺岡輝記, Claudio Somaschini, 東條孝志, 小西良明, 砂原米彦, 野田 武司, 小西智也, 塚本史郎. GaAs(001)面上Ga液滴によるナノホール形成のその場STM観察. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  13. 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. 多重量子井戸構造を有するpinダイオードにおける光電流のバイアス電圧依存性. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
2009
  1. 川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの熱アニーリング効果. 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会. 2009
  2. 野田 武司, 間野 高明, 榊 裕之. 液滴エピタキシーで形成したGaAs・InAs 複合構造と表面拡散. 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会. 2009
  3. 秋山 芳広, 川津 琢也, 野田 武司, 榊 裕之. 微傾斜(111)B面上のInGaAs結合ドット列を介する異方的量子伝導の温度保存性. 2009年秋 第70回応用物理学会学術講演会. 2009
  4. シンディ バイシャリ ラムチャンドラ, 藤田 大介, 野田 武司. Intercrossing nickel oxide nanoflakes from soft solution chemistry for Electrochromic application . 60 Annual meeting of the International society of electrochemist. 2009
  5. 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, アバルキ マルコ, 野田 武司, 迫田 和彰. Droplet epitaxy on GaAs (111)A. SemiconNano2009. 2009 招待講演
  6. 野田 武司, 間野 高明. Surface diffusion of In on GaAs(100) in dropet epitaxy. SemiconNano 2009. 2009 招待講演
  7. シンディ バイシャリ ラムチャンドラ, 野田 武司, 藤田 大介. SHAPE AND SIZE SELECTIVE SYNTHESIS OF ZNO ON SUBSTRATES VIA MICROWAVE ASSISTED CHEMICAL METHOD AND APPLICATIONS IN PHOTOCATALYSIS. ICCE-17. 2009
  8. 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 野田 武司, 迫田 和彰. Self-assembly of symmetric, unstrained GaAs quantum dots without wetting layer by droplet epitaxy. 14th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures. 2009
  9. 野田 武司, 間野 高明, 迫田 和彰, 榊 裕之. 液滴エピタキシーにおけるIn原子の表面拡散. 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演. 2009
  10. エルボルグ マーティン, 間野 高明, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法により作製したGaAs/AlGaAs量子ドットの光電流特性. 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  11. 間野 高明, 野田 武司, 小口 信行, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法による同心二重リング形成機構の考察. 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  12. 野田 武司. 量子ドット太陽電池の可能性と課題. 新材料・新概念の面から取り組む太陽光発電とその最前線. 2009 招待講演
2008
  1. 川津 琢也, 間野 高明, 野田 武司, 秋山 芳広, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSbタイプⅡ量子ドットの光学特性 . International Conference on Solid State Devices and Materials . 2008
  2. 野田 武司, 間野 高明, 黒田 隆, 迫田 和彰, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるInAsドット群の自己形成と光学特性. 第69回応用物理学術講演会. 2008
  3. 間野 高明, 黒田 隆, 野田 武司, 迫田 和彰. 液滴エピタキシー法によるGaAs(110)基板上のGa液滴の配列効果. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  4. 川津 琢也, 間野 高明, 野田 武司, 秋山 芳広, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの光学特性. 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 . 2008
  5. NODA, Takeshi. Spontaneous formation of a cluster of InAs dots along a ring-like zone on (100) GaAs by droplet epitaxy. 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2008
  6. 野田 武司. 量子ドット太陽電池の可能性と課題. PVJapan2008. 2008
  7. 姚 遠昭, 落合 哲行, 間野 高明, 黒田 隆, 野田 武司, 小口 信行, 迫田 和彰. Energy levels of GaAs/AlGaAs quantum rings under electric field. The OSA topical conference on nanophotonics 2008. 2008
  8. 川津 琢也, 間野 高明, 野田 武司, 秋山 芳広, 榊 裕之. 液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製. 2008年春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008
  9. 野田 武司, 間野 高明, 三石 和貴, 榊 裕之. 液滴エピタキシーによるInAsリング-ドット複合構造の作製. 第55回応用物理学関係連合会. 2008
  10. 間野 高明, 三石 和貴, 野田 武司, 中山 佳子, 迫田 和彰. ガリウム液滴を高強度砒素分子線により結晶化したナノ構造の電子顕微鏡観察. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
2007
  1. NODA, Takeshi. Fabrication of a complex InAs ring-and-dot structure by droplet epitaxy. 9th International Conference on ACSIN. 2007
  2. 野田 武司, 三石 和貴, 間野 高明. In液滴をマスクにしたウエットエッチングによるサブミクロンサイズのGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの作製. 第68回 応用物理学会 学術講演会. 2007
  3. 間野 高明, 山際 正和, 黒田 隆, 落合 哲行, 黒田 圭司, 立野 高弘, KIM JONGSU, 南不二雄, 野田 武司, 渡邉克之, 川辺 光央, Stefano Sanguinetti, 迫田 和彰, 小口 信行, 木戸 義勇. 液滴エピタキシーで作製した発光性能に優れたGaAs量子ドットと量子リング. International Symposium TOPICAL PROBLEMS OF BIOPHOTONICS-. 2007 招待講演
  4. NODA, Takeshi. Anisotropic scattering on electron and hole transport in thin GaAs/AlAs quantum wells grown on (311)A GaAs substrates. International Conference on Modulated Semiconductor Structures. 2007
  5. 野田 武司, 三石 和貴, 間野 高明, 竹端 寛治, 小口 信行. 電子線誘起蒸着による自己形成量子ナノ構造への配線とその伝導特性. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
2006
  1. 野田 武司, 三石 和貴, 山際 正和, 川辺 光央, 間野 高明, 古屋 一夫, 小口 信行. Fabrication of metallic nanowires for self-assembled InAs quantum ring structure and its transport properties. NIMS conference. 2006 招待講演
  2. 山際 正和, 川辺 光央, 野田 武司, 間野 高明, 竹端 寛治, 小口 信行. AFMリソグラフィーを用いた量子ドット構造への電極配線技術. 応用物理学会 2006年春期 第53回 学術講演会. 2006
2004
  1. NODA, Takeshi. STEM Studies of MBE Grown Corrugated Structures of (757)B Substrate. International Conference on Molecular Beam Epitaxy. 2004
  2. 西岡佐和子, 根木泰義, 山本憲哉, 角田直人, 奥西栄治, 小柴俊, 野田 武司, 榊裕之. GaAs(111)B微傾斜基板に成長させたInGaAs/GaAsヘテロ界面. 日本金属学会2004年春季講演大会. 2004
  3. 根木泰義, 山本憲哉, 西岡佐和子, 角田直人, 奥西栄治, 小柴俊, 野田 武司. (757)B基板上の自己形成InGaAsナノ構造観察. 第51会応用物理学関係連合講演会. 2004
  4. 野田 武司, 小口 信行. 液滴エピタキシー法による10ナノメートル級半導体量子ドットの作製. 第3回つくばテクノロジー・ショーケース. 2004
  5. NODA, Takeshi, KOGUCHI, Nobuyuki. Self-assembled semiconductor quantum dots-via Droplet Epitaxy-. 日米ジョイントフォーラム「Directed Self-Assembly and Self-Organi. 2004 招待講演

その他の文献 TSV

2005
  1. MANO, Takaaki, KURODA, Takashi, NODA, Takeshi, KIMJON, GSU, SAKODA, Kazuaki, KIDO, Giyuu, KOGUCHI, Nobuyuki. Quantum ring complexes grown by droplet epitaxy. Proceedings of The 6th International Conference on Intelligent Materials and Systems. (2005) 13-16

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