HOME > Presentation > Detail
液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響
(Effect of Non-radiative Recombination on PL Peak Energy in GaAs Quantum Dots Fabricated by Droplet Epitaxy)
2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会. September 08, 2020-September 11, 2020.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2020-11-12 11:16:25 +0900 Updated at: 2020-11-12 11:16:25 +0900