液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドットの作製とその1.3μm 及び 1.55μm帯発光
(Formation of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy and their optical emission at 1.3μm and 1.55μm )
第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014年03月17日-2014年03月20日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:30:36 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:48:05 +0900