GaAs(111)A基板上の高対称性量子ドットLEDの作製
(Fabrication of highly symmetric QD LED on GaAs (111)A)
応用物理学会秋季学術講演会. 2015年09月13日-2015年09月16日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:05:13 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:11:19 +0900