液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御
(Formation and control of wetting layer during the growth of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy)
第75回応用物理学秋季学術講演会. 2014.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:45:27 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:55:21 +0900