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著者名ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰.
タイトル液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御
(Formation and control of wetting layer during the growth of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy)
会議名第75回応用物理学秋季学術講演会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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