n-AlGaAs/GaAs/AlGaAsダブルヘテロ電界効果トランジスタのゲート端局所照射におけるショットキー光電流の温度依存性
(Temperature Dependence of Schottky Photocurrent for Local Gate Edge Illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double-Heterojunction Field-Effect Transistor)
ACSIN-14. 2018.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-09-02 16:19:52 +0900更新時刻: 2018-09-02 16:19:52 +0900