HOME > 口頭発表 > 詳細GaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響(Effect of Excitation Light Intensity on Temperature Dependence for Photoluminescence Peak Energy in GaAs Quantum Dots)著者中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. 会議名2020年度応用物理学会九州支部学術講演会発表年2020言語Japanese