HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響(Effect of Excitation Light Intensity on Temperature Dependence for Photoluminescence Peak Energy in GaAs Quantum Dots)中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2020年11月28日-2020年11月29日.NIMS著者間野 高明野田 武司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-12-10 03:00:24 +0900 更新時刻: 2020-12-10 03:00:24 +0900