HOME > Presentation > DetailGaAs 量子ドットのフォトルミネッセンスピークエネルギーの特異な温度依存性に及ぼす励起光強度の影響(Effect of Excitation Light Intensity on Temperature Dependence for Photoluminescence Peak Energy in GaAs Quantum Dots)中村 泰樹, 宮内 雄大, 川畑 公佑, 間野 高明, 野田 武司, 碇 哲雄, 福山 敦彦. 2020年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2020.NIMS author(s)MANO, TakaakiNODA, TakeshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2020-12-10 03:00:24 +0900Updated at: 2020-12-10 03:00:24 +0900