Anisotropic transport of electrons in a novel FET channel with chains of InGaAs nano-islands embedded along quasi-periodic multi-atomic steps on vicinal (111)B GaAs
([英文の直訳]微傾斜(111)B GaAs上の準周期的多段原子ステップに沿ってInGaAsナノ島の鎖が埋め込まれた新奇なFETチャネルにおける異方的な電子伝導)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-27 01:30:04 +0900 更新時刻: 2026-09-02 04:59:03 +0900