局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果
(Enhancement of infrared photo-responses of the Schottky gate region of an n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor by a second light illumination)
第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-12-25 03:00:24 +0900更新時刻: 2019-12-25 03:00:24 +0900