Atomic-scale characterization of highly doped Si impurities in GaAs using scanning tunneling microscopy

著者	Nobuyuki Ishida, Takaaki Mano, Takeshi Noda.
掲載誌名	Applied Surface Science 583 152373 ISSN: 01694332 ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	Elsevier BV
発表年	2022
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.152373
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