Atomic-scale characterization of highly doped Si impurities in GaAs using scanning tunneling microscopy
著者 | Nobuyuki Ishida, Takaaki Mano, Takeshi Noda. |
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掲載誌名 | Applied Surface Science 583 152373 ISSN: 01694332 ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE |
出版社 | Elsevier BV |
発表年 | 2022 |
言語 | English |
DOI | https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.152373 |
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