HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(111)B歪量子井戸FETにおけるピエゾ電界効果(Piezoelectric effect in (111)B strained quantum well field effect transistors)野田 武司, 榊 裕之. 第66回応用物理学術講演会. 2005.NIMS著者野田 武司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 04:02:41 +0900 更新時刻 :2017-07-10 19:25:03 +0900