HOME > 口頭発表 > 書誌詳細InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長(Growth of metamorphic InGaAs on GaAs(111)A using thin InAs layer)間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014年03月17日-2014年03月20日.NIMS著者間野 高明三石 和貴黒田 隆大竹 晃浩野田 武司佐久間 芳樹迫田 和彰Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:06:36 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:48:05 +0900