HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果(Effect of InAs underlying layers on formation of InAs quantum dots on InAlAs/InP(111)A by droplet epitaxy)間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS著者間野 高明黒田 隆大竹 晃浩佐久間 芳樹野田 武司迫田 和彰Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-07-01 16:43:13 +0900更新時刻: 2018-07-01 16:43:13 +0900