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著者名間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰.
タイトル液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果
(Effect of InAs underlying layers on formation of InAs quantum dots on InAlAs/InP(111)A by droplet epitaxy)
会議名第79回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2018
言語Japanese
外部での文献参照

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