HOME > Presentation > Detail液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果(Effect of InAs underlying layers on formation of InAs quantum dots on InAlAs/InP(111)A by droplet epitaxy)間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS author(s)MANO, TakaakiKURODA, TakashiOHTAKE, AkihiroSAKUMA, YoshikiNODA, TakeshiSAKODA, KazuakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2018-07-01 16:43:13 +0900 Updated at :2018-07-01 16:43:13 +0900