HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製(Growth of GaSb dots on GaAs (100) by droplet epitaxy)川津 琢也, 間野 高明, 野田 武司, 秋山 芳広, 榊 裕之. 2008年春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008.NIMS著者川津 琢也間野 高明野田 武司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:19:05 +0900更新時刻: 2018-06-05 12:12:47 +0900