HOME > Presentation > Detail液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットの作製(Growth of GaSb dots on GaAs (100) by droplet epitaxy)川津 琢也, 間野 高明, 野田 武司, 秋山 芳広, 榊 裕之. 2008年春季第55回応用物理学会学術講演会. March 27, 2008-March 30, 2008.NIMS author(s)KAWAZU, TakuyaMANO, TakaakiNODA, TakeshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:19:05 +0900 Updated at: 2018-06-05 12:12:47 +0900