HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果(Effects of post-annealing on GaSb/GaAs quantum dots formed by droplet epitaxy)川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011.NIMS著者川津 琢也野田 武司間野 高明佐久間 芳樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:46:14 +0900更新時刻: 2018-06-05 12:59:08 +0900