HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法により作製したGaAs/AlGaAs量子ドットの光電流特性(Photocurrent characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy)エルボルグ マーティン, 間野 高明, 野田 武司, 迫田 和彰. 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009.NIMS著者エルボルグ マーティン間野 高明野田 武司迫田 和彰Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 05:50:44 +0900 更新時刻 :2017-07-10 20:26:03 +0900