液滴エピタキシーで形成した20nm級量子リング構造を埋め込んだ共鳴トンネルダイオード
(Resonant Tunneling diode with embedded 20 nm-scale quantum ring structures grown by droplet epitaxy)
第52回応用物理学関係連合講演会. 2005年03月29日-2005年04月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 10:59:55 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:17:18 +0900