HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシーで形成した20nm級量子リング構造を埋め込んだ共鳴トンネルダイオード(Resonant Tunneling diode with embedded 20 nm-scale quantum ring structures grown by droplet epitaxy)野田 武司, 間野 高明, 小口 信行. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005.NIMS著者野田 武司間野 高明Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 10:59:55 +0900 更新時刻 :2017-07-10 19:17:18 +0900