HOME > Presentation > Detail液滴エピタキシーで形成した20nm級量子リング構造を埋め込んだ共鳴トンネルダイオード(Resonant Tunneling diode with embedded 20 nm-scale quantum ring structures grown by droplet epitaxy)野田 武司, 間野 高明, 小口 信行. 第52回応用物理学関係連合講演会. March 29, 2005-April 01, 2005.NIMS author(s)NODA, TakeshiMANO, TakaakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:59:55 +0900 Updated at: 2017-07-10 19:17:18 +0900