HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Effects of Ga deposition rate and antimony flux on morphology of GaSb quantum dots formed on GaAs川津 琢也, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor. 2016.NIMS著者川津 琢也野田 武司佐久間 芳樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:32:23 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:22:26 +0900