HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaAs(311)A基板上のGaSbドットの成長(Growth of GaSb quantum dots on GaAs (311)A)川津 琢也, 野田 武司, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 榊 裕之. International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012). 2012.NIMS著者川津 琢也野田 武司間野 高明佐久間 芳樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:55:19 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:26:45 +0900