液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成
(Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)A by droplet epitaxy)
2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:40:45 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:44:35 +0900