HOME > Presentation > Detail液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成(Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)A by droplet epitaxy)間野 高明, アバルキ マルコ, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 迫田 和彰. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010.NIMS author(s)MANO, TakaakiKURODA, TakashiOHTAKE, AkihiroMITSUISHI, KazutakaSAKODA, KazuakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:40:45 +0900Updated at: 2017-07-10 20:44:35 +0900