HOME > 口頭発表 > 書誌詳細液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成(Self-assembly of highly symmetric quantum dots on GaAs(111)A by droplet epitaxy)間野 高明, アバルキ マルコ, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 迫田 和彰. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010年03月17日-2010年03月20日.NIMS著者間野 高明黒田 隆大竹 晃浩三石 和貴迫田 和彰Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:40:45 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:44:35 +0900