publication_type publication_year number author title event_name doi reported_at Presentation 2024 1 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明 二次元電子ガスにおけるサブバンド数が 熱電出力因子に与える影響 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2024 2 マ シャオ, 間野 高明, 大竹 晃浩, 黒田 隆 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2024 3 間野 高明, 大竹 晃浩 GaAs(111)A上のInSbメタモルフィック成長：InAs界面層の挿入効果 第71回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 1 間野 高明, 大竹 晃浩 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 2 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明 AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける多数サブバンドによる熱電出力因子向上 第20回日本熱電学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 3 上松 悠人, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明 AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスにおける熱電出力因子制御 第84回応用物理学秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 4 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹 InAs/GaAs(111)A赤外線検出器の特性評価 第84回応用物理学秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 5 奈良 純, 大竹 晃浩 GaAs(111)B上に成長させたMoTe2単層膜の構造と電子状態 第84回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 6 奈良 純, 大竹 晃浩 36th European Conference on Surface Science (ECOSS36) 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2023 7 楊 旭, 李 世勝, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 ICCGE-20 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 1 大竹 晃浩, 奈良 純 MNC 2022 (35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference) 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 2 間野 高明, 黒田 隆, 大竹 晃浩 液滴エピタキシー法による量子ドットの作製とその量子光源応用 第51回結晶成長国内会議（JCCG-51） 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 3 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 佐久間 芳樹 GaAs(111)A上のInAsメタモルフィック成長：成長温度依存 2022年第83回応用物理学秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 4 大竹 晃浩, 楊 旭, 奈良 純 GaAs(111)B 上におけるMoTe2 エピタキシャル薄膜の配向性および安定性 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 5 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 MoSe2 – WSe2多層積層構造のMBE成長 第83回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2022 6 間野 高明, 大竹 晃浩, 川津 琢也, 宮崎 英樹, 佐久間 芳樹 InAs/GaAs(111)Aのメタモルフィック成長とその赤外線検出器応用 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2021 1 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰 液滴エピタキシー法によりInP(111)A面上に作製したInAs量子ドットのキャップ無しアニールによる形状変化 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2020 1 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明 AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大 第67回応用物理学会春季学術講演会/https://meeting.jsap.or.jp/ 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 1 上松悠人, 谷口達彦, 細田凌矢, 石部貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村芳明 2次元電子ガス系AlGaAs/GaAsの熱電性能評価 応用物理学会関西支部第二回講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 2 須賀隆之, 後藤俊治, 大竹晃浩, 中村淳 The Irago Conference 2019 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 3 須賀隆之, 後藤俊治, 大竹晃浩, 中村淳 AVS 66th international symposium & exhibition 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 4 佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩 "The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference http://www.rpgrconf.com/2019/index.php" 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 5 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 6 佐久間 芳樹, 李 世勝, 池田 直樹, 大竹 晃浩 ガス原料CVDを用いたTMDC単層膜成長におけるガラス基板の効果 第80回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 7 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 MoSe2/GaAsヘテロエピタキシーにおける基板面方位依存性 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 8 上松 悠人, 谷口 達彦, 細田 凌矢, 石部 貴史, 間野 高明, 大竹 晃浩, 中村 芳明 二次元電子ガス系AlGaAs/GaAsにおける熱電性能の温度依存性評価 第16回 日本熱電学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2019 9 須賀 隆之, 後藤 俊治, 大竹 晃浩, 中村 淳 Compound Semiconductor Week 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 1 後藤俊治, 大竹 晃浩, 中村淳 Stabilization mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B surface AVS 65th International Symposium & Exhibition 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 2 後藤俊治, 大竹 晃浩, 中村淳 S処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 3 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 大竹 晃浩, 間野 高明 WOCl4をプリカーサに用いたWS2単層膜のガス原料CVD 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 4 間野 高明, ハ ヌル, 黒田 隆, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 野田 武司, 迫田 和彰 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成 におけるInAs下地層の効果 第79回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 5 佐久間 芳樹, 池田 直樹, 間野 高明, 大竹 晃浩 Scalable growth of high-quality MoS2 and WS2 atomic layers using oxychloride sources in MOCVD reactor ICMOVPE-XIX 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2018 6 後藤俊治, 大竹 晃浩, 赤石暁, 中村淳 Se 処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2017 1 後藤俊治, 大竹 晃浩, 赤石暁, 中村淳 Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface The Irago Conference 2017 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2017 2 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 A New Route to Grow Highly-Mismatched InGaAs on GaAs (111)A by Inserting Atomically Thin InAs Layers Semicon Nano 2017 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2017 3 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析 第78回応用物理学会 秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2017 4 大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳 Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構 第78回応用物理学会秋期学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2016 1 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹 GaAs{111}A, B表面上でのMoSe2単層膜成長 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2016 2 佐久間 芳樹, 間野 高明, 大竹 晃浩 ガス状プリカーサーを用いたMoS2単層膜のスケーラブルなCVD成長 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2016 3 間野 高明, 三石 和貴, 大竹 晃浩, ハ ヌル, カステラーノ アンドレア, ステファノ　サングイネッティ, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 黒田 隆, 迫田 和彰 InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構 第77回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2015 1 赤石暁, 船附顕汰, 大竹 晃浩, 中村淳 First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2×2) surface 23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2015 2 間野 高明, 大竹 晃浩, ハ ヌル, 黒田 隆, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 (111)A基板上の格子不整合系エピタキシーの諸現象：ドット形成と歪み緩和の理解と制御にむけて 第１１回量子ナノ材料セミナー 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2015 3 ハ ヌル, 間野 高明, 黒田 隆, Shun-Jen Cheng, Paul M. Koenraad, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy The 76th JSAP Autumn Meeting 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2015 4 大竹 晃浩, 萩原敦, 船附顕汰, 中村淳 GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2015 5 岩長 祐伸, 崔 峯碩, 宮崎 英樹, 杉本 喜正, 大竹 晃浩, 迫田 和彰 Plasmo-Photonic Metasurfaces Manipulating Electronic Processes in Fluorescent Molecules META 2015, The 6th International Conference on Metamaterials, Ph 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 1 宮田典幸, 大竹 晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二 Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 2 萩原敦, 大竹 晃浩, 中村淳 第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 3 ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 液滴エピタキシー法によるInP(111)A基板上InAs量子ドット成長過程における濡れ層形成とその制御 第75回応用物理学秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 4 大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二 Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 5 大竹 晃浩, 間野 高明, ハ ヌル GaAs{111}A,B表面上でのGa液滴形成 第75回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 6 ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 液滴エピタキシー法による格子緩和したInAlAs/InAs/GaAs(111)A上の1.55ミクロン発光するInAs量子ドットの作製 第75回応用物理学秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 7 ハ ヌル, 間野 高明, 劉 祥明, 黒田 隆, 三石 和貴, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 2014 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 8 大竹 晃浩 Mn-GaAs系二次元構造制御による 新規強磁性半導体相の創製と評価 早稲田大学 総合研究機構 凝縮系物質科学研究所2014年度 第1回 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 9 間野 高明, 大竹 晃浩, 黒田 隆, ハ ヌル, 劉 祥明, 三石 和貴, 萩原敦, 中村淳, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2014 10 間野 高明, ハ ヌル, 三石 和貴, 黒田 隆, 大竹 晃浩, カステラーノ アンドレア, Stefano Sanguinetti, 野田 武司, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰 InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長 第61回応用物理学会春季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2013 1 大竹 晃浩, 宮田典幸, 市川昌和, 安田哲二 Electrical Characteristics and Stability of HfO2/GaSb MOS Interfaces Formed on Clean GaSb(100)-c(2×6) Surfaces 2013 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2013 2 萩原敦, 大竹 晃浩, 奥北和哉, 中村淳 Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2013 3 ハヌル, カステラーノ アンドレア, 間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆 GaAs(111)A 基板上の歪み緩和InGaAs 成長 第74回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2013 4 大竹 晃浩, 間野 高明 GaAs(001)上でのGa液滴形成におよぼす基板表面再配列の影響 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2012 1 大竹 晃浩 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2012 2 大竹 晃浩, 萩原敦, 中村淳 Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列 第73回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2012 3 大竹 晃浩 31st International Conference on the Physics of Semiconductors 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2012 4 菅野雄介, 大竹 晃浩, 中村淳 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態 日本物理学会第67回年次大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2011 1 菅野雄介, 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳 GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価 日本物理学会　2011年秋季大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2011 2 卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹 晃浩, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一 InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2011 3 大竹 晃浩 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2011 4 大竹 晃浩, 平山基, 菅野雄介, 中村淳 ISCS 2011 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2011 5 大竹晃浩 2011 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2010 1 大竹 晃浩 化合物半導体の表面再配列 真空・表面科学合同講演会(第51回真空に関する連合講演会) 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2010 2 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列 日本物理学会 2010年秋季大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2010 3 大竹 晃浩, 宮田典幸, 卜部友二, 安田哲二 InGaAs(001)表面再配列構造とHfO2/InGaAs 界面特性 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2010 4 間野 高明, アバルキ マルコ, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 迫田 和彰 液滴エピタキシー法によるGaAs(111)A基板上高対称性量子ドットの自己形成 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 1 大竹 晃浩, 三石 和貴 InAs/Si(111)ヘテロエピタキシーにおける極性制御 2009年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 2 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, アバルキ マルコ, 野田 武司, 迫田 和彰 SemiconNano2009 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 3 間野 高明, 黒田 隆, マックスキミング ブライアン, 大竹 晃浩, 三石 和貴, 野田 武司, 迫田 和彰 14th Int. Conf. on Modulated Semiconductor Structures 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 4 大竹 晃浩, 三石 和貴 InAs heteroepitaxy on Si(111) ICFSI-12, 2009 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 5 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央 Initial growth structure of Ge on GaAs(001) 2009 MRS Spring Meeting 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2009 6 奈良 純, 大竹 晃浩, 大野 隆央 American Physical Society 2009 March Meeting 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 1 安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 2 大竹 晃浩, 平山基, 中村淳, 名取晃子 GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討 日本物理学会2008年秋季大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 3 安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 大竹 晃浩, 灰本隆志, 星井拓也, 竹中充, 高木信一 InGaAs上へのAlOのALD成長による良好なMIS界面特性の実現 2008年秋季　第69回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 4 大竹 晃浩, 安田哲二, 宮田典幸 Ge/GaAs(001)ヘテロエピタキシーにおける成長異方性 2008年秋季　第69回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 5 大竹 晃浩, 奈良 純, 安田哲二, 宮田典幸 GaAs(001)-(1x2)-Ge吸着構造 第55回応用物理学関係連合講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2008 6 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩 HfO2/GaAs界面特性改善に向けたGe挿入層効果の検討 第55回応用物理学関係連合講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2007 1 大竹 晃浩 GaAs(001)表面上のMn吸着構造 日本物理学会第62回年次大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2007 2 宮田典幸, 大竹 晃浩, 安田哲二 High-k/III-V界面構造における初期表面再構成の影響 第68回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2007 3 大竹 晃浩 Sb吸着GaAs(001)-(2x4)表面の原子配列 第68回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2007 4 安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩 High-k/III-V界面制御に向けたモニタリング法の検討：反射率差分光(RDS)の適用可能性 第54回応用物理学関係連合講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2006 1 大竹 晃浩 Si(111)-(7x7)上Gaナノクラスターの構造解析 第67回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2006 2 大竹 晃浩 28th International Conference on the Physics of Semiconductors 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2006 3 大竹 晃浩 Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター 日本物理学会第61回年次大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2006 4 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf Gero Schmidt, 小口 信行 GaリッチなGaAs(001)-(4x6)および(6x6)表面構造 春季第53回応用物理学関係連合講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 1 大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 小口 信行 最もGaリッチなGaAs(001)-(4x6)表面の新たな構造モデル 日本物理学会　2005年秋季大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 2 大竹 晃浩, Pavel Kocan, Kaori Seino, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行 23rd European Conference on Surface Science 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 3 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行 International Conference on the Structure of Surfaces 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 4 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 小口 信行 International Conference on the Structure of Surfaces 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 5 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行 The 13th International Conference on Scanning Tunneling Microsco 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2005 6 制野かおり, Wolf G. Schmidt, 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 小口 信行 8th International Conference on Atomically Controlled Surface, I 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2004 1 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行 As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造 日本物理学会2004年秋季大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2004 2 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 中村淳, 名取晃子, 小口 信行 GaAs(001)-c(4x4)表面構造のAs分子種依存性 第65回応用物理学会学術講演会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2004 3 大竹 晃浩, Pavel Kocan, 小口 信行 IVC-16, ICSS-12, NANO-8, AIV-17 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2004 4 Pavel Kocan, 大竹 晃浩, 小口 信行 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価 日本物理学会第59回年次大会 2024-04-20 17:53:56 +0900 Presentation 2004 5 Pavel Kocan, 大竹 晃浩, 小口 信行 The 9th International Symposium on Advanced Physical Fields 2024-04-20 17:53:56 +0900