HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構(Stabilization mechanism of Se-treated GaAs(111)B surface)大竹 晃浩, 後藤俊治, 中村淳. 第78回応用物理学会秋期学術講演会. 2017.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-06-27 22:19:57 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:10:01 +0900