HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ATLAS法により作製したInxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析(Structural analysis of InxGa1-xAs/InAs/GaAs(111)A grown by ATLAS method)間野 高明, 大竹 晃浩, 佐久間 芳樹. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017年09月05日-2017年09月08日.NIMS著者間野 高明大竹 晃浩佐久間 芳樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-07-11 22:39:30 +0900 更新時刻: 2018-06-05 14:10:41 +0900