HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性(Nano-contact Heteroepitaxy of GaSb on Si(001) and the HfO2/GaSb MOS Characteristics)宮田典幸, 大竹 晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二. 第75回応用物理学会秋季学術講演会 . 2014.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:02:26 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:55:29 +0900