SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

口頭発表の表示

著者名宮田典幸, 大竹 晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二.
タイトルSi(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO2/GaSb MOS特性
(Nano-contact Heteroepitaxy of GaSb on Si(001) and the HfO2/GaSb MOS Characteristics)
会議名第75回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

▲ページトップへ移動