HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Scalable growth of high-quality MoS2 and WS2 atomic layers using oxychloride sources in MOCVD reactor佐久間 芳樹, 池田 直樹, 間野 高明, 大竹 晃浩. ICMOVPE-XIX. 2018.NIMS著者佐久間 芳樹池田 直樹間野 高明大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-06-28 16:44:26 +0900更新時刻: 2018-06-28 16:44:26 +0900
