SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

口頭発表の表示

著者名大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二.
タイトルSi(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
(GaSb heteroepitaxy on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb MOS capacitors )
会議名第75回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

▲ページトップへ移動