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Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製
(GaSb heteroepitaxy on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb MOS capacitors )

大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二.
第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-02-14 11:18:46 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:55:26 +0900

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