HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製(GaSb heteroepitaxy on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb MOS capacitors )大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014.NIMS著者大竹 晃浩間野 高明Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:18:46 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:55:26 +0900