HOME > Presentation > DetailSi(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製(GaSb heteroepitaxy on Si(111) and fabrication of HfO2/GaSb MOS capacitors )大竹 晃浩, 宮田典幸, 間野 高明, 森貴洋, 安田哲二. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014.NIMS author(s)OHTAKE, AkihiroMANO, TakaakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:18:46 +0900Updated at: 2017-07-10 21:55:26 +0900