HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaAs(111)A上のInSbメタモルフィック成長:InAs界面層の挿入効果(Growth of metamorphic InSb on GaAs (111)A: Effect of thin InAs interlayers)間野 高明, 大竹 晃浩. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024年03月22日-2024年03月25日.NIMS著者間野 高明大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-03-28 09:53:39 +0900更新時刻: 2024-03-28 09:53:39 +0900