HOME > 口頭発表 > 書誌詳細As被覆率に依存した2種類のGaAs(001)-c(4x4)構造(Two types of reconstruction of GaAs(001)-c(4x4))大竹 晃浩, 小口 信行. 日本物理学会2003年秋季大会. 2003年09月20日-2003年09月23日.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 03:28:26 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:45:27 +0900