HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HfO2/GaAs界面特性改善に向けたGe挿入層効果の検討(Investigation on the effects of Ge layer insertion for improvement of HfO2/GaAs interface properties)安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008年03月27日-2008年03月30日.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:45:31 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:09:52 +0900