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著者名安田哲二, 宮田典幸, 大竹 晃浩.
タイトルHfO2/GaAs界面特性改善に向けたGe挿入層効果の検討
(Investigation on the effects of Ge layer insertion for improvement of HfO2/GaAs interface properties)
会議名第55回応用物理学関係連合講演会
発表年2008
言語Japanese
外部での文献参照

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